Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD
A silicon nitride substrate which comprises a silicon nitride sintered body comprising silicon nitride crystal particles and a grain boundary phase, wherein the silicon nitride substrate being characterized by having a thickness of 0.4 mm or less, and also characterized in that, in an arbitrary cross section of the silicon nitride sintered body or the surface of the silicon nitride sintered body, the number-based percentage of silicon nitride crystal particles each having a dislocation defect part therein in silicon nitride crystal particles present in a unit area having a size of 10 μm × 10 μm is 0 to 20% inclusive. It becomes possible to improve etching resistance during the manufacture of a circuit board from the silicon nitride substrate.
La présente invention concerne un substrat de nitrure de silicium qui comprend un corps fritté de nitrure de silicium comprenant des particules de cristal de nitrure de silicium et une phase de joint de grains, le substrat de nitrure de silicium étant caractérisé en ce qu'il présente une épaisseur de 0,4 mm ou moins, et étant également caractérisé en ce que, dans une section transversale arbitraire du corps fritté de nitrure de silicium ou de la surface du corps fritté de nitrure de silicium, le pourcentage en nombre de particules de cristal de nitrure de silicium dans chacune desquelles se trouve une partie de défaut de dislocation dans des particules de cristal de nitrure de silicium présentes dans une zone unitaire ayant une taille de 10 µm × 10 μm est de 0 à 20 % inclus. Il devient possible d'améliorer la résistance à la gravure pendant la fabrication d'une carte de circuit imprimé à partir du substrat de nitrure de silicium.
窒化珪素結晶粒子と粒界相を有する窒化珪素焼結体からなる窒化珪素基板において、窒化珪素基板の板厚は０．４ｍｍ以下であり、窒化珪素焼結体の任意の断面または表面において、単位面積１０μｍ×１０μｍに存在する窒化珪素結晶粒子の中で結晶粒子内に転位欠陥部を有するものの割合が個数割合で０％以上２０％以下であることを特徴とする。回路基板にする際に耐エッチング性を向上させることができる。
SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD
A silicon nitride substrate which comprises a silicon nitride sintered body comprising silicon nitride crystal particles and a grain boundary phase, wherein the silicon nitride substrate being characterized by having a thickness of 0.4 mm or less, and also characterized in that, in an arbitrary cross section of the silicon nitride sintered body or the surface of the silicon nitride sintered body, the number-based percentage of silicon nitride crystal particles each having a dislocation defect part therein in silicon nitride crystal particles present in a unit area having a size of 10 μm × 10 μm is 0 to 20% inclusive. It becomes possible to improve etching resistance during the manufacture of a circuit board from the silicon nitride substrate.
La présente invention concerne un substrat de nitrure de silicium qui comprend un corps fritté de nitrure de silicium comprenant des particules de cristal de nitrure de silicium et une phase de joint de grains, le substrat de nitrure de silicium étant caractérisé en ce qu'il présente une épaisseur de 0,4 mm ou moins, et étant également caractérisé en ce que, dans une section transversale arbitraire du corps fritté de nitrure de silicium ou de la surface du corps fritté de nitrure de silicium, le pourcentage en nombre de particules de cristal de nitrure de silicium dans chacune desquelles se trouve une partie de défaut de dislocation dans des particules de cristal de nitrure de silicium présentes dans une zone unitaire ayant une taille de 10 µm × 10 μm est de 0 à 20 % inclus. Il devient possible d'améliorer la résistance à la gravure pendant la fabrication d'une carte de circuit imprimé à partir du substrat de nitrure de silicium.
窒化珪素結晶粒子と粒界相を有する窒化珪素焼結体からなる窒化珪素基板において、窒化珪素基板の板厚は０．４ｍｍ以下であり、窒化珪素焼結体の任意の断面または表面において、単位面積１０μｍ×１０μｍに存在する窒化珪素結晶粒子の中で結晶粒子内に転位欠陥部を有するものの割合が個数割合で０％以上２０％以下であることを特徴とする。回路基板にする際に耐エッチング性を向上させることができる。
SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD
SUBSTRAT DE NITRURE DE SILICIUM ET CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ DE NITRURE DE SILICIUM
窒化珪素基板及び窒化珪素回路基板
AOKI KATSUYUKI (Autor:in) / FUKASAWA TAKAYUKI (Autor:in) / MOMMA JUN (Autor:in) / IWAI KENTARO (Autor:in)
05.03.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board
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