Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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HIGH EFFICIENCY SILICON CARBIDE MANUFACTURING METHOD
본 발명은, (a) 혼합기에서 SiO 분말과 탄소원을 혼합하여 탄화규소 혼합물을 생성하는 단계; 및 (b) 합성로에서 상기 혼합물을 1300℃ 이상 1400℃ 이하의 온도로 30분 이상 7시간 이하 동안 가열하여 탄화규소 분체 (SiC)를 획득하는 단계를 포함하는 고효율 탄화규소 분체 제조 방법에 관한 것이다. 이에 의해 탄화규소 분체 합성시 열처리 공정의 온도를 낮추고 시간을 단축시킬수 있으며, 일반적인 규소화합물을 사용한 공정에 비해 탄화규소 분체의 회수율을 높일 수 있다.
HIGH EFFICIENCY SILICON CARBIDE MANUFACTURING METHOD
본 발명은, (a) 혼합기에서 SiO 분말과 탄소원을 혼합하여 탄화규소 혼합물을 생성하는 단계; 및 (b) 합성로에서 상기 혼합물을 1300℃ 이상 1400℃ 이하의 온도로 30분 이상 7시간 이하 동안 가열하여 탄화규소 분체 (SiC)를 획득하는 단계를 포함하는 고효율 탄화규소 분체 제조 방법에 관한 것이다. 이에 의해 탄화규소 분체 합성시 열처리 공정의 온도를 낮추고 시간을 단축시킬수 있으며, 일반적인 규소화합물을 사용한 공정에 비해 탄화규소 분체의 회수율을 높일 수 있다.
HIGH PURITY SILICON CARBIDE PRODUCT MANUFACTURING METHOD
Europäisches Patentamt | 2015
| Europäisches Patentamt | 2022
Manufacturing method of silicon carbide product and silicon carbide product
| Europäisches Patentamt | 2024
HIGH PURITY SILICON CARBIDE MANUFACTURING METHOD AND SYSTEM
Europäisches Patentamt | 2016
Method for Manufacturing High-purity Silicon Carbide Nanopowder
| Europäisches Patentamt | 2023