Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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HIGH PURITY SILICON CARBIDE MANUFACTURING METHOD AND SYSTEM
본 발명은 (a) 혼합기에서 규소원과 탄소원으로 구성된 혼합물을 생성하는 단계; (b) 밀폐된 도가니에서 상기 혼합물을 진공도 0.03torr 초과 0.5torr 이하, 온도 1300℃ 이상 1900℃ 이하로 가열하여 탄화 규소 (SiC) 분체를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 탄화규소 제조 방법에 관한 것이다. 이에 의해, 기존의 탄화규소 제조 방법보다 낮은 압력과 낮은 온도로 제조가 가능하여 공정비를 절감하고 고순도의 탄화규소 분체를 손쉽게 얻을 수 있다.
HIGH PURITY SILICON CARBIDE MANUFACTURING METHOD AND SYSTEM
본 발명은 (a) 혼합기에서 규소원과 탄소원으로 구성된 혼합물을 생성하는 단계; (b) 밀폐된 도가니에서 상기 혼합물을 진공도 0.03torr 초과 0.5torr 이하, 온도 1300℃ 이상 1900℃ 이하로 가열하여 탄화 규소 (SiC) 분체를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 탄화규소 제조 방법에 관한 것이다. 이에 의해, 기존의 탄화규소 제조 방법보다 낮은 압력과 낮은 온도로 제조가 가능하여 공정비를 절감하고 고순도의 탄화규소 분체를 손쉽게 얻을 수 있다.
HIGH PURITY SILICON CARBIDE MANUFACTURING METHOD AND SYSTEM
고순도 탄화규소 분체 제조 방법 및 시스템
08.07.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
HIGH PURITY SILICON CARBIDE PRODUCT MANUFACTURING METHOD
Europäisches Patentamt | 2015
Method for Manufacturing High-purity Silicon Carbide Nanopowder
| Europäisches Patentamt | 2023
High-purity high-density silicon carbide ceramic and manufacturing method thereof
| Europäisches Patentamt | 2021
Manufacturing method of high purity silicon carbide using metal silicon and arc discharge
| Europäisches Patentamt | 2018
Europäisches Patentamt | 2015