Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
TITANIUM NITRIDE HARD MASK AND ETCH RESIDUE REMOVAL
티타늄 니트라이드(TiN 또는 TiNxOy, 여기서 x = 0 내지 1.3이고, y는 0 내지 2임) 하드 마스크를 스트립핑시키고 티타늄 니트라이드 잔류물을 제거하기 위한 포뮬레이션으로서, 낮은 pH(<4)를 지니고, 구조 전체에 걸쳐서 고분산된 음전하를 지니는 약하게 배위된 음이온; 아민 염 완충제; 미량의 비-산화성 금속 이온; 미량의 비-대기 산화제; 및 나머지로, 물, 설폴란, 디메틸 설파이드, 락트산, 글리콜, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매를 포함하는 포뮬레이션이 본원에 제공된다. 본 발명의 포뮬레이션은 과산화수소를 함유하지 않고, 공기에 노출된다. 바이플루오라이드, 부식 억제제, 계면활성제가 본 발명의 포뮬레이션에 첨가될 수 있다. 티타늄 니트라이드 하드 마스크를 스트립핑시키고 티타늄 니트라이드 에칭 잔류물을 제거하기 위한 본 발명의 포뮬레이션이 사용되는 시스템 및 방법이 본원에 제공된다.
TITANIUM NITRIDE HARD MASK AND ETCH RESIDUE REMOVAL
티타늄 니트라이드(TiN 또는 TiNxOy, 여기서 x = 0 내지 1.3이고, y는 0 내지 2임) 하드 마스크를 스트립핑시키고 티타늄 니트라이드 잔류물을 제거하기 위한 포뮬레이션으로서, 낮은 pH(<4)를 지니고, 구조 전체에 걸쳐서 고분산된 음전하를 지니는 약하게 배위된 음이온; 아민 염 완충제; 미량의 비-산화성 금속 이온; 미량의 비-대기 산화제; 및 나머지로, 물, 설폴란, 디메틸 설파이드, 락트산, 글리콜, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매를 포함하는 포뮬레이션이 본원에 제공된다. 본 발명의 포뮬레이션은 과산화수소를 함유하지 않고, 공기에 노출된다. 바이플루오라이드, 부식 억제제, 계면활성제가 본 발명의 포뮬레이션에 첨가될 수 있다. 티타늄 니트라이드 하드 마스크를 스트립핑시키고 티타늄 니트라이드 에칭 잔류물을 제거하기 위한 본 발명의 포뮬레이션이 사용되는 시스템 및 방법이 본원에 제공된다.
TITANIUM NITRIDE HARD MASK AND ETCH RESIDUE REMOVAL
티타늄 니트라이드 하드 마스크 및 에칭 잔류물 제거
25.02.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
Investigation of "fur-like" residues post dry etching of polyimide using aluminum hard etch mask
| British Library Online Contents | 2018
Investigation of "fur-like" residues post dry etching of polyimide using aluminum hard etch mask
| British Library Online Contents | 2018
Selectable Nanopattern Arrays for Nanolithographic Imprint and Etch‐Mask Applications
| Wiley | 2015
| British Library Online Contents | 2004