Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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TITANIUM NITRIDE HARD MASK AND ETCH RESIDUE REMOVAL
The present invention relates to a formulation for stripping a titanium nitride (TiN or TiNxOy; x=0 to 1.3 and y=0 to 2) hard mask and removing titanium nitride residues. The formulation of the present invention comprises low pH (<4), a weakly coordinating anion having negative charge highly dispersed throughout its structure, amine salt buffer, a non-oxidizing trace metal ion, a non-ambient trace oxidizer, and the remaining being solvent selected from the group consisting of water, sulfolane, dimethyl sulfide, lactic acid, glycol, and mixtures thereof. The formulations contain no hydrogen peroxide, and are exposed to air. Bifluoride, corrosion inhibitors, surfactants may be added to the formulations. Systems and processes use the formulations for stripping titanium nitride hard mask and removing titanium nitride etch residue.
티타늄 니트라이드(tin 또는 tinxoy, 여기서 x = 0 내지 1.3이고, y는 0 내지 2임) 하드 마스크를 스트립핑시키고 티타늄 니트라이드 잔류물을 제거하기 위한 포뮬레이션으로서, 낮은 ph(<4)를 지니고, 구조 전체에 걸쳐서 고분산된 음전하를 지니는 약하게 배위된 음이온; 아민 염 완충제; 미량의 비-산화성 금속 이온; 미량의 비-대기 산화제; 및 나머지로, 물, 설폴란, 디메틸 설파이드, 락트산, 글리콜, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매를 포함하는 포뮬레이션이 본원에 제공된다. 본 발명의 포뮬레이션은 과산화수소를 함유하지 않고, 공기에 노출된다. 바이플루오라이드, 부식 억제제, 계면활성제가 본 발명의 포뮬레이션에 첨가될 수 있다. 티타늄 니트라이드 하드 마스크를 스트립핑시키고 티타늄 니트라이드 에칭 잔류물을 제거하기 위한 본 발명의 포뮬레이션이 사용되는 시스템 및 방법이 본원에 제공된다.
TITANIUM NITRIDE HARD MASK AND ETCH RESIDUE REMOVAL
The present invention relates to a formulation for stripping a titanium nitride (TiN or TiNxOy; x=0 to 1.3 and y=0 to 2) hard mask and removing titanium nitride residues. The formulation of the present invention comprises low pH (<4), a weakly coordinating anion having negative charge highly dispersed throughout its structure, amine salt buffer, a non-oxidizing trace metal ion, a non-ambient trace oxidizer, and the remaining being solvent selected from the group consisting of water, sulfolane, dimethyl sulfide, lactic acid, glycol, and mixtures thereof. The formulations contain no hydrogen peroxide, and are exposed to air. Bifluoride, corrosion inhibitors, surfactants may be added to the formulations. Systems and processes use the formulations for stripping titanium nitride hard mask and removing titanium nitride etch residue.
티타늄 니트라이드(tin 또는 tinxoy, 여기서 x = 0 내지 1.3이고, y는 0 내지 2임) 하드 마스크를 스트립핑시키고 티타늄 니트라이드 잔류물을 제거하기 위한 포뮬레이션으로서, 낮은 ph(<4)를 지니고, 구조 전체에 걸쳐서 고분산된 음전하를 지니는 약하게 배위된 음이온; 아민 염 완충제; 미량의 비-산화성 금속 이온; 미량의 비-대기 산화제; 및 나머지로, 물, 설폴란, 디메틸 설파이드, 락트산, 글리콜, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매를 포함하는 포뮬레이션이 본원에 제공된다. 본 발명의 포뮬레이션은 과산화수소를 함유하지 않고, 공기에 노출된다. 바이플루오라이드, 부식 억제제, 계면활성제가 본 발명의 포뮬레이션에 첨가될 수 있다. 티타늄 니트라이드 하드 마스크를 스트립핑시키고 티타늄 니트라이드 에칭 잔류물을 제거하기 위한 본 발명의 포뮬레이션이 사용되는 시스템 및 방법이 본원에 제공된다.
TITANIUM NITRIDE HARD MASK AND ETCH RESIDUE REMOVAL
티타늄 니트라이드 하드 마스크 및 에칭 잔류물 제거
CASTEEL JR WILLIAM JACK (Autor:in) / INAOKA SEIJI (Autor:in) / LIU WEN DAR (Autor:in) / CHEN TIANNIU (Autor:in)
03.02.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
Investigation of "fur-like" residues post dry etching of polyimide using aluminum hard etch mask
| British Library Online Contents | 2018
Investigation of "fur-like" residues post dry etching of polyimide using aluminum hard etch mask
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Selectable Nanopattern Arrays for Nanolithographic Imprint and Etch‐Mask Applications
| Wiley | 2015
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