Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Manufacturing Method of Sintered Reaction Bonded Silicon Nitride With High Thermal Conductivity
전력 디바이스 등의 방열 구조에 사용하기 적합한 고열전도율을 갖는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법이 제공된다. 본 발명은 Si 분말을 포함하는 원료 분말을 1 미크론 이하의 크기로 밀링하는 단계; 상기 밀링된 Si 분말 및 소결 조제를 혼합 및 성형하는 단계; 상기 성형체를 1350~1450C에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및 상기 반응결합 질화규소를 1850C 이상의 온도에서 후소결하여반응소결질화규소소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 높은 열전도율의 반응소결질화규소소결체를 제공할 수 있게 된다.
Manufacturing Method of Sintered Reaction Bonded Silicon Nitride With High Thermal Conductivity
전력 디바이스 등의 방열 구조에 사용하기 적합한 고열전도율을 갖는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법이 제공된다. 본 발명은 Si 분말을 포함하는 원료 분말을 1 미크론 이하의 크기로 밀링하는 단계; 상기 밀링된 Si 분말 및 소결 조제를 혼합 및 성형하는 단계; 상기 성형체를 1350~1450C에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및 상기 반응결합 질화규소를 1850C 이상의 온도에서 후소결하여반응소결질화규소소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 높은 열전도율의 반응소결질화규소소결체를 제공할 수 있게 된다.
Manufacturing Method of Sintered Reaction Bonded Silicon Nitride With High Thermal Conductivity
고열전도율을 갖는 반응소결질화규소의 제조 방법
18.07.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
MANUFACTURING METHOD OF SINTERED REACTION BONDED SILICON NITRIDE WITH HIGH THERMAL CONDUCTIVITY
| Europäisches Patentamt | 2016
MANUFACTURING METHOD OF SINTERED REACTION BONDED SILICON NITRIDE WITH HIGH THERMAL CONDUCTIVITY
| Europäisches Patentamt | 2015
| Europäisches Patentamt | 2019
Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity
Europäisches Patentamt | 2019
Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity
| Europäisches Patentamt | 2018