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Silicon carbide ceramics and method for preparing thereof
The present invention relates to silicon carbide ceramic obtained by using AlN-Y_2O_3-Sc_2O_3 as a sintering additive in silicon carbide (SiC) and a method for preparing the same. According to the present invention, the silicon carbide ceramic that has a dense structure is prepared by the novel AlN-Y_2O_3-Sc_2O_3 sintering additive being added to silicon carbide powder. The silicon carbide ceramic prepared from the sintering additive composition according to the present invention has a high level of heat conductivity and its mechanical properties such as fracture toughness, bending strength, and Vickers hardness are better than those of existing silicon carbide ceramic. The silicon carbide ceramic obtained in the present invention is higher in relative density than existing pressure-sintered silicon carbide ceramic even in the case of liquid sintering under a zero-pressure normal pressure condition.
본 발명은 실리콘 카바이드(SiC)에 AlN-YO-ScO를 소결 첨가제로 이용한 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 세라믹과 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 실리콘 카바이드 분말에 신규한 AlN-YO-ScO소결 첨가제를 첨가하여 치밀화된 구조의 실리콘 카바이드 세라믹을 제조하였으며, 본 발명에 따른 소결 첨가제 조성으로부터 제조된 실리콘 카바이드 세라믹은 우수한 열전도도를 가지며, 파괴 인성, 굴곡 강도, 비커스 경도 등의 기계적 물성이 종래 실리콘 카바이드 세라믹에 비해 개선된 값을 가졌다. 또한, 본 발명에서는 압력을 가하지 않은 상압(normal pressure) 조건에서, 액상 소결시켰음에도 종래 가압-소결시킨 실리콘 카바이드 세라믹보다 높은 상대 밀도를 가지는 실리콘 카바이드 세라믹을 얻을 수 있었다.
Silicon carbide ceramics and method for preparing thereof
The present invention relates to silicon carbide ceramic obtained by using AlN-Y_2O_3-Sc_2O_3 as a sintering additive in silicon carbide (SiC) and a method for preparing the same. According to the present invention, the silicon carbide ceramic that has a dense structure is prepared by the novel AlN-Y_2O_3-Sc_2O_3 sintering additive being added to silicon carbide powder. The silicon carbide ceramic prepared from the sintering additive composition according to the present invention has a high level of heat conductivity and its mechanical properties such as fracture toughness, bending strength, and Vickers hardness are better than those of existing silicon carbide ceramic. The silicon carbide ceramic obtained in the present invention is higher in relative density than existing pressure-sintered silicon carbide ceramic even in the case of liquid sintering under a zero-pressure normal pressure condition.
본 발명은 실리콘 카바이드(SiC)에 AlN-YO-ScO를 소결 첨가제로 이용한 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 세라믹과 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 실리콘 카바이드 분말에 신규한 AlN-YO-ScO소결 첨가제를 첨가하여 치밀화된 구조의 실리콘 카바이드 세라믹을 제조하였으며, 본 발명에 따른 소결 첨가제 조성으로부터 제조된 실리콘 카바이드 세라믹은 우수한 열전도도를 가지며, 파괴 인성, 굴곡 강도, 비커스 경도 등의 기계적 물성이 종래 실리콘 카바이드 세라믹에 비해 개선된 값을 가졌다. 또한, 본 발명에서는 압력을 가하지 않은 상압(normal pressure) 조건에서, 액상 소결시켰음에도 종래 가압-소결시킨 실리콘 카바이드 세라믹보다 높은 상대 밀도를 가지는 실리콘 카바이드 세라믹을 얻을 수 있었다.
Silicon carbide ceramics and method for preparing thereof
실리콘 카바이드 세라믹 및 이의 제조방법
KIM YOUNG WOOK (Autor:in) / CHO TAE YOUNG (Autor:in)
20.01.2017
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Silicon carbide micro-powder for silicon carbide fine ceramics, and preparation method thereof
| Europäisches Patentamt | 2020
| Europäisches Patentamt | 2024