Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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GRAPHITE CRUCIBLE FOR SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE GRAPHITE CRUCIBLE
장기 수명화를 가능하게 한 단결정 인상 장치용 흑연 도가니 및 그 제조 방법을 제공한다. 석영 도가니(1)를 보유하는 흑연 도가니(2)는 흑연 도가니 성형체로서의 흑연 도가니 기재(3)와 흑연 도가니 기재(3)의 표면 전체에 형성된 페놀 수지의 탄소화물로 이루어진 피막(4)으로 구성되어 있다. 페놀 수지는 흑연 도가니 기재(3) 표면에 존재하는 개기공(5)의 내부까지 함침되어 있다. 피막(4)의 형성은 흑연 도가니의 표면 전체에 한정하지 않고, SiC화가 진행되기 쉬운 부분뿐이어도 된다. 예를 들면, 도가니의 내면만 전체적으로 석출시킨다든가, 내면 중 만곡부(작은 R부)에만 또는 만곡부와 직동부에만 석출시키는 것도 가능하다.
A graphite crucible (2) for retaining a quartz crucible (1) has a graphite crucible substrate (3) as a graphite crucible forming material, and a coating film (4) made of a carbonized phenolic resin and formed over the entire surface of the graphite crucible substrate (3). The phenolic resin is impregnated inside open pores (5) existing in a surface of the graphite crucible substrate (3). The coating film (4) may be formed only within a portion of the graphite crucible in which SiC formation can occur easily, not over the entirety of the surface of the graphite crucible. For example, it is possible to deposit the film only on the entire inner surface of the crucible. It is also possible to deposit the film only on a curved portion (sharply curved portion) of the inner surface, or only on a curved portion and a straight trunk portion.
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장기 수명화를 가능하게 한 단결정 인상 장치용 흑연 도가니 및 그 제조 방법을 제공한다. 석영 도가니(1)를 보유하는 흑연 도가니(2)는 흑연 도가니 성형체로서의 흑연 도가니 기재(3)와 흑연 도가니 기재(3)의 표면 전체에 형성된 페놀 수지의 탄소화물로 이루어진 피막(4)으로 구성되어 있다. 페놀 수지는 흑연 도가니 기재(3) 표면에 존재하는 개기공(5)의 내부까지 함침되어 있다. 피막(4)의 형성은 흑연 도가니의 표면 전체에 한정하지 않고, SiC화가 진행되기 쉬운 부분뿐이어도 된다. 예를 들면, 도가니의 내면만 전체적으로 석출시킨다든가, 내면 중 만곡부(작은 R부)에만 또는 만곡부와 직동부에만 석출시키는 것도 가능하다.
A graphite crucible (2) for retaining a quartz crucible (1) has a graphite crucible substrate (3) as a graphite crucible forming material, and a coating film (4) made of a carbonized phenolic resin and formed over the entire surface of the graphite crucible substrate (3). The phenolic resin is impregnated inside open pores (5) existing in a surface of the graphite crucible substrate (3). The coating film (4) may be formed only within a portion of the graphite crucible in which SiC formation can occur easily, not over the entirety of the surface of the graphite crucible. For example, it is possible to deposit the film only on the entire inner surface of the crucible. It is also possible to deposit the film only on a curved portion (sharply curved portion) of the inner surface, or only on a curved portion and a straight trunk portion.
GRAPHITE CRUCIBLE FOR SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE GRAPHITE CRUCIBLE
단결정 인상 장치용 흑연 도가니 및 그 제조 방법
12.10.2018
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
Europäisches Patentamt | 2017
| Europäisches Patentamt | 2017