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ASSEMBLY AND POWER-MODULE SUBSTRATE
본 발명의 접합체는, 세라믹스로 이루어지는 세라믹스 부재와, Cu 또는 Cu 합금으로 이루어지는 Cu 부재가 Cu-P-Sn 계 납재 및 Ti 재를 개재하여 접합된 접합체로서, 상기 세라믹스 부재와 상기 Cu 부재의 접합 계면에는, 상기 세라믹스 부재 측에 위치하고, Sn 이 Cu 중에 고용된 Cu-Sn 층과, 상기 Cu 부재와 상기 Cu-Sn 층 사이에 위치한 Ti 층이 형성되고, 상기 Cu 부재와 상기 Ti 층 사이에, Cu 와 Ti 로 이루어지는 제 1 금속간 화합물층이 형성되고, 상기 Cu-Sn 층과 상기 Ti 층 사이에, P 를 함유하는 제 2 금속간 화합물층이 형성되어 있다.
The bonded body of the present invention includes: a ceramic member made of ceramics; and a Cu member which is made of Cu or a Cu alloy and bonded to the ceramic member through a Cu-P-Sn-based brazing filler material and a Ti material, wherein a Cu-Sn layer, which is positioned close to the ceramic member and in which Sn forms a solid solution with Cu, and a Ti layer which is positioned between the Cu member and the Cu-Sn layer, are formed at a bonded interface between the ceramic member and the Cu member, a first intermetallic compound layer made of Cu and Ti is formed between the Cu member and the Ti layer, and a second intermetallic compound layer containing P is formed between the Cu-Sn layer and the Ti layer.
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본 발명의 접합체는, 세라믹스로 이루어지는 세라믹스 부재와, Cu 또는 Cu 합금으로 이루어지는 Cu 부재가 Cu-P-Sn 계 납재 및 Ti 재를 개재하여 접합된 접합체로서, 상기 세라믹스 부재와 상기 Cu 부재의 접합 계면에는, 상기 세라믹스 부재 측에 위치하고, Sn 이 Cu 중에 고용된 Cu-Sn 층과, 상기 Cu 부재와 상기 Cu-Sn 층 사이에 위치한 Ti 층이 형성되고, 상기 Cu 부재와 상기 Ti 층 사이에, Cu 와 Ti 로 이루어지는 제 1 금속간 화합물층이 형성되고, 상기 Cu-Sn 층과 상기 Ti 층 사이에, P 를 함유하는 제 2 금속간 화합물층이 형성되어 있다.
The bonded body of the present invention includes: a ceramic member made of ceramics; and a Cu member which is made of Cu or a Cu alloy and bonded to the ceramic member through a Cu-P-Sn-based brazing filler material and a Ti material, wherein a Cu-Sn layer, which is positioned close to the ceramic member and in which Sn forms a solid solution with Cu, and a Ti layer which is positioned between the Cu member and the Cu-Sn layer, are formed at a bonded interface between the ceramic member and the Cu member, a first intermetallic compound layer made of Cu and Ti is formed between the Cu member and the Ti layer, and a second intermetallic compound layer containing P is formed between the Cu-Sn layer and the Ti layer.
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접합체 및 파워 모듈용 기판
22.02.2021
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
Europäisches Patentamt | 2017
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