Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER USING SAME
일반식 [1] 로 나타내는 용매와 무기 금속염을 함유하는 금속 산화물 반도체층 형성용 조성물에 따른 것이다. JPEG112017014993367-pct00023.jpg3080 (식 중, R1 은 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 직사슬 또는 분기의 알킬렌기, R2 는 탄소 원자수 1 ∼ 3 의 직사슬 또는 분기의 알킬기를 나타낸다)
Provided is a composition for forming a metal oxide semiconductor that includes a solvent represented by general formula [1] and an inorganic metal salt. (In the formula, R1 represents a linear or branched C2-3 alkylene group, and R2 represents a linear or branched C1-3 alkyl group.)
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER USING SAME
일반식 [1] 로 나타내는 용매와 무기 금속염을 함유하는 금속 산화물 반도체층 형성용 조성물에 따른 것이다. JPEG112017014993367-pct00023.jpg3080 (식 중, R1 은 탄소 원자수 2 ∼ 3 의 직사슬 또는 분기의 알킬렌기, R2 는 탄소 원자수 1 ∼ 3 의 직사슬 또는 분기의 알킬기를 나타낸다)
Provided is a composition for forming a metal oxide semiconductor that includes a solvent represented by general formula [1] and an inorganic metal salt. (In the formula, R1 represents a linear or branched C2-3 alkylene group, and R2 represents a linear or branched C1-3 alkyl group.)
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER USING SAME
금속 산화물 반도체층 형성용 조성물 및 그것을 사용한 금속 산화물 반도체층의 제조 방법
18.02.2022
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
| Europäisches Patentamt | 2017
| Europäisches Patentamt | 2020
| Europäisches Patentamt | 2019
AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2020
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