PRECURSOR COMPOSITION FOR FORMING AN AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING AN AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER: Fid-Bau Portal

PRECURSOR COMPOSITION FOR FORMING AN AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING AN AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER

HIROI YOSHIOMI / MAEDA SHINICHI

Abstract

The invention provides a precursor composition for forming an amorphous metal oxide semiconductor layer, containing a metal salt, a primary amide, and a water-based solution. An amorphous metal oxide semiconductor layer is formed by use of the composition.

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PRECURSOR COMPOSITION FOR FORMING AN AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING AN AMORPHOUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Weitere Titelangaben:

VORLÄUFERZUSAMMENSETZUNG ZUR BILDUNG EINER AMORPHEN METALLOXID-HALBLEITERSCHICHT, VERFAHREN ZU HERSTELLUNG EINER AMORPHEN METALLOXID-HALBLEITERSCHICHT
COMPOSITION DE PRÉCURSEUR POUR LA FORMATION D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE D'OXYDE MÉTALLIQUE AMORPHE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE D'OXYDE MÉTALLIQUE AMORPHE

Beteiligte:

HIROI YOSHIOMI (Autor:in) / MAEDA SHINICHI (Autor:in)

Erscheinungsdatum:

24.07.2019

Medientyp:

Patent

Format:

Elektronische Ressource

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

IPC: C04B Kalk , LIME / H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES