Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Multilayer Type Electronic Component
유전체층은 희토류 원소인 Re가 고용되어 있는 제1 영역(R1)과 Re가 고용되어 있지 않은 제2 영역(R2)이 존재하는 복수개의 결정립을 가진다. 복수개의 결정립의 메디안 지름의, 유전체층의 평균 두께에 대한 비 t는 0.5~0.7이다. 유전체층의 절단면에서 제1 영역의 단면적의 합의, 복수개의 결정립의 단면적의 합에 대한 비 s는 0.7~0.9이다. 유전체층에서 Ti, Zr 및 Hf의 합계량을 100몰부로 했을 때에, Zr의 양과 Hf의 양의 합 a는 0~1.0이다. Si의 양 b는 0.1~1.0이다. Re의 양 c는 0.5~10.0이다. Ti, Zr 및 Hf의 합계량에 대한 Ba와 Re의 합계량의 비 m은 0.990~1.050이다.
A multilayer electronic component having a plurality of laminated dielectric layers and inner electrode layers. The dielectric layers have a plurality of crystal grains including first regions where Re is dissolved in a solid state; and second regions where Re is not dissolved in the solid state. A median size of the crystal grains to an average thickness of the dielectric layers is 0.5≤t≤0.7. A ratio of a sum of cross sectional areas of the first regions to those of the plurality of crystal grains is 0.7≤s≤0.9. When a total amount of Ti, Zr, and Hf is 100 molar parts in the dielectric layers, a sum of the Zr and the Hf is 0≤a≤1.0; an amount b of Si is 0.1≤b≤1.0; an amount c of Re is 0.5≤c≤10.0; and a ratio m of a total of Ba and Re to a total of Ti, Zr, and Hf is 0.990≤m≤1.050.
Multilayer Type Electronic Component
유전체층은 희토류 원소인 Re가 고용되어 있는 제1 영역(R1)과 Re가 고용되어 있지 않은 제2 영역(R2)이 존재하는 복수개의 결정립을 가진다. 복수개의 결정립의 메디안 지름의, 유전체층의 평균 두께에 대한 비 t는 0.5~0.7이다. 유전체층의 절단면에서 제1 영역의 단면적의 합의, 복수개의 결정립의 단면적의 합에 대한 비 s는 0.7~0.9이다. 유전체층에서 Ti, Zr 및 Hf의 합계량을 100몰부로 했을 때에, Zr의 양과 Hf의 양의 합 a는 0~1.0이다. Si의 양 b는 0.1~1.0이다. Re의 양 c는 0.5~10.0이다. Ti, Zr 및 Hf의 합계량에 대한 Ba와 Re의 합계량의 비 m은 0.990~1.050이다.
A multilayer electronic component having a plurality of laminated dielectric layers and inner electrode layers. The dielectric layers have a plurality of crystal grains including first regions where Re is dissolved in a solid state; and second regions where Re is not dissolved in the solid state. A median size of the crystal grains to an average thickness of the dielectric layers is 0.5≤t≤0.7. A ratio of a sum of cross sectional areas of the first regions to those of the plurality of crystal grains is 0.7≤s≤0.9. When a total amount of Ti, Zr, and Hf is 100 molar parts in the dielectric layers, a sum of the Zr and the Hf is 0≤a≤1.0; an amount b of Si is 0.1≤b≤1.0; an amount c of Re is 0.5≤c≤10.0; and a ratio m of a total of Ba and Re to a total of Ti, Zr, and Hf is 0.990≤m≤1.050.
Multilayer Type Electronic Component
적층형 전자부품
17.01.2023
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch