Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Multilayer Type Electronic Component
A dielectric layer includes a plurality of crystal grains including first regions (R1) where Re is dissolved in a solid state, and second regions (R2) where Re is not dissolved in the solid state. A ratio of a median size of the crystal grains to an average thickness of the dielectric layers is 0.5 ~ 0.7. A ratio of a sum of cross-sectional areas of the first regions to those of the plurality of crystal grains is 0.7 ~ 0.9. When a total amount of Ti, Zr, and Hf is 100 molar parts in the dielectric layers, a sum of the Zr and the Hf is 0 ~ 1.0. An amount b of Si is 0.1 ~ 1.0. An amount c of Re is 0.5 ~ 10.0. A ratio m of a total of Ba and Re to a total of Ti, Zr, and Hf is 0.990 ~ 1.050. According to the present invention, high reliability can be ensured even when there are few crystal grains in the thickness direction of the dielectric layer.
유전체층은 희토류 원소인 Re가 고용되어 있는 제1 영역(R1)과 Re가 고용되어 있지 않은 제2 영역(R2)이 존재하는 복수개의 결정립을 가진다. 복수개의 결정립의 메디안 지름의, 유전체층의 평균 두께에 대한 비 t는 0.5~0.7이다. 유전체층의 절단면에서 제1 영역의 단면적의 합의, 복수개의 결정립의 단면적의 합에 대한 비 s는 0.7~0.9이다. 유전체층에서 Ti, Zr 및 Hf의 합계량을 100몰부로 했을 때에, Zr의 양과 Hf의 양의 합 a는 0~1.0이다. Si의 양 b는 0.1~1.0이다. Re의 양 c는 0.5~10.0이다. Ti, Zr 및 Hf의 합계량에 대한 Ba와 Re의 합계량의 비 m은 0.990~1.050이다.
Multilayer Type Electronic Component
A dielectric layer includes a plurality of crystal grains including first regions (R1) where Re is dissolved in a solid state, and second regions (R2) where Re is not dissolved in the solid state. A ratio of a median size of the crystal grains to an average thickness of the dielectric layers is 0.5 ~ 0.7. A ratio of a sum of cross-sectional areas of the first regions to those of the plurality of crystal grains is 0.7 ~ 0.9. When a total amount of Ti, Zr, and Hf is 100 molar parts in the dielectric layers, a sum of the Zr and the Hf is 0 ~ 1.0. An amount b of Si is 0.1 ~ 1.0. An amount c of Re is 0.5 ~ 10.0. A ratio m of a total of Ba and Re to a total of Ti, Zr, and Hf is 0.990 ~ 1.050. According to the present invention, high reliability can be ensured even when there are few crystal grains in the thickness direction of the dielectric layer.
유전체층은 희토류 원소인 Re가 고용되어 있는 제1 영역(R1)과 Re가 고용되어 있지 않은 제2 영역(R2)이 존재하는 복수개의 결정립을 가진다. 복수개의 결정립의 메디안 지름의, 유전체층의 평균 두께에 대한 비 t는 0.5~0.7이다. 유전체층의 절단면에서 제1 영역의 단면적의 합의, 복수개의 결정립의 단면적의 합에 대한 비 s는 0.7~0.9이다. 유전체층에서 Ti, Zr 및 Hf의 합계량을 100몰부로 했을 때에, Zr의 양과 Hf의 양의 합 a는 0~1.0이다. Si의 양 b는 0.1~1.0이다. Re의 양 c는 0.5~10.0이다. Ti, Zr 및 Hf의 합계량에 대한 Ba와 Re의 합계량의 비 m은 0.990~1.050이다.
Multilayer Type Electronic Component
적층형 전자부품
SASABAYASHI TAKEHISA (Autor:in) / GOMI KENJIRO (Autor:in) / KIMURA KENJI (Autor:in) / OSHIMA WATARU (Autor:in)
27.01.2021
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch