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    METHOD FOR PRODUCING LAYERS OF SILICON CARBIDE

    The invention relates to a method for producing thin layers of silicon carbide by means of a solution or dispersion containing carbon and silicon.

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    Titel:

    METHOD FOR PRODUCING LAYERS OF SILICON CARBIDE

    Beteiligte:

    GREULICH-WEBER SIEGMUND (Autor:in) / SCHLEICHER-TAPPESER RÜDIGER (Autor:in)

    Erscheinungsdatum:

    28.05.2020

    Medientyp:

    Patent

    Format:

    Elektronische Ressource

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    IPC:  C04B Kalk , LIME / C30B SINGLE-CRYSTAL GROWTH , Züchten von Einkristallen

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