BONDED BODY, SUBSTRATE FOR POWER MODULES, POWER MODULE AND METHOD FOR PRODUCING BONDED BODY: Fid-Bau Portal

BONDED BODY, SUBSTRATE FOR POWER MODULES, POWER MODULE AND METHOD FOR PRODUCING BONDED BODY

TERASAKI NOBUYUKI / NAGATOMO YOSHIYUKI

This bonded body is obtained by bonding a ceramic member which is formed of a ceramic containing Al and a Cu member which is formed of Cu or a Cu alloy, with each other. A bonded portion is formed between the ceramic member and the Cu member, and an active metal compound region which is formed of a compound containing an active metal is formed in a ceramic member-side part of the bonded portion. The Al concentration in a region of the bonded portion within the thickness of 0.5-3 μm from the Cu member-side surface of the active metal compound region toward the Cu member is within the range from 0.5 at% to 15 at% (inclusive).

Cette invention concerne un corps lié obtenu par liaison d'un élément céramique qui est constitué d'une céramique contenant du Al et d'un élément de Cu qui est constitué de Cu ou d'un alliage de Cu, l'un à l'autre. Une partie liée est formée entre l'élément céramique et l'élément de Cu, et une région de composé métallique actif qui est constituée d'un composé contenant un métal actif est formée dans une partie côté élément céramique de la partie liée. La concentration en Al dans une région de la partie liée dans les 0,5 à 3 µm de l'épaisseur côté surface de l'élément de Cu de la région constituée du métal actif en direction de l'élément de Cu, est dans la plage de 0,5 % à 15 % at. (inclus).

　本発明の接合体は、Ａｌを含むセラミックスからなるセラミックス部材と、Ｃｕ又はＣｕ合金からなるＣｕ部材とが接合されてなる接合体であって、前記セラミックス部材と前記Ｃｕ部材との間には、接合部が形成され、該接合部のセラミックス部材側には、活性金属を含む化合物からなる活性金属化合物領域が形成され、該活性金属化合物領域の前記Ｃｕ部材側をなす一面から、前記Ｃｕ部材側に向かって、０．５μｍ～３μｍの厚み範囲における前記接合部のＡｌ濃度が０．５ａｔ％以上、１５ａｔ％以下の範囲である。

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