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OXIDE SINTERED COMPACT, OXIDE SPUTTERING TARGET, AND OXIDE THIN FILM
This sintered compact is characterized by containing zinc (Zn), gallium (Ga), silicon (Si), and oxygen (O), wherein the Zn content expressed as ZnO is 5-60 mol%, the Ga content expressed as Ga2O3 is 8.5-90 mol%, the Si content expressed as SiO2 is 0-45 mol%, a condition A≤(B+2C) is satisfied when the Zn content expressed as ZnO is represented as A (mol%), the Ga content expressed as Ga2O3 is represented as B (mol%), and the Si content expressed as SiO2 is represented as C (mol%), and the sintered compact has a relative density of 90% or higher. The present invention addresses the problem of efficiently obtaining an amorphous film having high transmissivity and a low refractive index, without introducing oxygen into the atmosphere during deposition by DC sputtering.
L'invention concerne un comprimé fritté, caractérisé en ce qu'il contient du zinc (Zn), du gallium (Ga), du silicium (Si) et de l'oxygène (O), la teneur en Zn exprimée en termes de ZnO étant de 5 à 60 % en mole, la teneur en Ga exprimée en termes de Ga2O3 étant de 8,5 à 90 % en mole, la teneur en Si exprimée en termes de SiO2 étant de 0 à 45 % en mole, la condition A ≤ (B +2C) étant satisfaite lorsque la teneur en Zn exprimée en termes de ZnO est représentée par A (% en mole), la teneur en Ga exprimée en termes de Ga2O3 est représentée par B (% en mole) et la teneur en Si exprimée en termes de SiO2 est représentée par C (% en mole), le comprimé fritté ayant une densité relative supérieure ou égale à 90 %. La présente invention permet d'obtenir efficacement un film amorphe ayant une transmissivité élevée et un faible indice de réfraction, sans l'introduction d'oxygène dans l'atmosphère pendant le dépôt par pulvérisation cathodique en courant continu.
亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）からなり、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で５～６０ｍｏｌ％、Ｇａ含有量がＧａ２Ｏ３換算で８．５～９０ｍｏｌ％、Ｓｉ含有量がＳｉＯ２換算で０～４５ｍｏｌ％であり、ＺｎＯ換算のＺｎ含有量をＡ（ｍｏｌ％）、Ｇａ２Ｏ３換算のＧａ含有量をＢ（ｍｏｌ％）、ＳｉＯ２換算のＳｉ含有量をＣ（ｍｏｌ％）としたとき、Ａ≦（Ｂ＋２Ｃ）の条件を満たし、且つ、相対密度が９０％以上であることを特徴とする焼結体。ＤＣスパッタリングによる成膜時に雰囲気中に酸素を導入しなくとも、高透過率、且つ、低屈折率のアモルファス膜を効率的に得ることを課題とする。
OXIDE SINTERED COMPACT, OXIDE SPUTTERING TARGET, AND OXIDE THIN FILM
This sintered compact is characterized by containing zinc (Zn), gallium (Ga), silicon (Si), and oxygen (O), wherein the Zn content expressed as ZnO is 5-60 mol%, the Ga content expressed as Ga2O3 is 8.5-90 mol%, the Si content expressed as SiO2 is 0-45 mol%, a condition A≤(B+2C) is satisfied when the Zn content expressed as ZnO is represented as A (mol%), the Ga content expressed as Ga2O3 is represented as B (mol%), and the Si content expressed as SiO2 is represented as C (mol%), and the sintered compact has a relative density of 90% or higher. The present invention addresses the problem of efficiently obtaining an amorphous film having high transmissivity and a low refractive index, without introducing oxygen into the atmosphere during deposition by DC sputtering.
L'invention concerne un comprimé fritté, caractérisé en ce qu'il contient du zinc (Zn), du gallium (Ga), du silicium (Si) et de l'oxygène (O), la teneur en Zn exprimée en termes de ZnO étant de 5 à 60 % en mole, la teneur en Ga exprimée en termes de Ga2O3 étant de 8,5 à 90 % en mole, la teneur en Si exprimée en termes de SiO2 étant de 0 à 45 % en mole, la condition A ≤ (B +2C) étant satisfaite lorsque la teneur en Zn exprimée en termes de ZnO est représentée par A (% en mole), la teneur en Ga exprimée en termes de Ga2O3 est représentée par B (% en mole) et la teneur en Si exprimée en termes de SiO2 est représentée par C (% en mole), le comprimé fritté ayant une densité relative supérieure ou égale à 90 %. La présente invention permet d'obtenir efficacement un film amorphe ayant une transmissivité élevée et un faible indice de réfraction, sans l'introduction d'oxygène dans l'atmosphère pendant le dépôt par pulvérisation cathodique en courant continu.
亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）からなり、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で５～６０ｍｏｌ％、Ｇａ含有量がＧａ２Ｏ３換算で８．５～９０ｍｏｌ％、Ｓｉ含有量がＳｉＯ２換算で０～４５ｍｏｌ％であり、ＺｎＯ換算のＺｎ含有量をＡ（ｍｏｌ％）、Ｇａ２Ｏ３換算のＧａ含有量をＢ（ｍｏｌ％）、ＳｉＯ２換算のＳｉ含有量をＣ（ｍｏｌ％）としたとき、Ａ≦（Ｂ＋２Ｃ）の条件を満たし、且つ、相対密度が９０％以上であることを特徴とする焼結体。ＤＣスパッタリングによる成膜時に雰囲気中に酸素を導入しなくとも、高透過率、且つ、低屈折率のアモルファス膜を効率的に得ることを課題とする。
OXIDE SINTERED COMPACT, OXIDE SPUTTERING TARGET, AND OXIDE THIN FILM
COMPRIMÉ FRITTÉ D'OXYDE, CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE D'OXYDE ET FILM MINCE D'OXYDE
酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜
NARA ATSUSHI (Autor:in) / SEKI HIDETO (Autor:in)
01.09.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SINTERED COMPACT, OXIDE SPUTTERING TARGET, AND OXIDE THIN FILM
| Europäisches Patentamt | 2019
Oxide sintered compact, oxide sputtering target, and oxide thin film
| Europäisches Patentamt | 2019
OXIDE SINTERED COMPACT OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE THIN FILM
Europäisches Patentamt | 2019
OXIDE SINTERED COMPACT OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE THIN FILM
| Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTERED COMPACT, OXIDE SPUTTERING TARGET, AND OXIDE THIN FILM
| Europäisches Patentamt | 2018