Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS
A magnetic tunnel junction comprises a conductive first magnetic electrode comprising magnetic recording material, a conductive second magnetic electrode spaced from the first electrode and comprising magnetic reference material, and a non-magnetic tunnel insulator material between the first and second electrodes. The magnetic reference material of the second electrode comprises a synthetic antiferromagnetic construction comprising two spaced magnetic regions one of which is closer to the tunnel insulator material than is the other. The one magnetic region comprises a polarizer region comprising CoxFeyBz where "x" is from 0 to 90, "y" is from 10 to 90, and "z" is from 10 to 50. The CoxFeyBz is directly against the tunnel insulator. A non-magnetic region comprising an Os-containing material is between the two spaced magnetic regions. The other magnetic region comprises a magnetic Co-containing material. Other embodiments are disclosed.
La présente invention concerne une jonction tunnel magnétique qui comprend une première électrode magnétique conductrice comprenant un matériau d'enregistrement magnétique, une deuxième électrode magnétique conductrice espacée de la première électrode et comprenant un matériau magnétique de référence, et un matériau isolant à effet tunnel non magnétique disposé entre les première et deuxième électrodes. Le matériau de référence magnétique de la deuxième électrode comprend une construction antiferromagnétique synthétique comprenant deux régions magnétiques espacées dont l'une est plus proche du matériau isolant à effet tunnel que l'autre. La région magnétique comprend une région de polariseur comprenant CoxFeyBz où "x" est de 0 à 90, "y" est de 10 à 90, et "z" est de 10 à 50. Le CoxFeyBz est directement contre l'isolant à effet tunnel. Une région non magnétique comprenant un matériau contenant Os est située entre les deux régions magnétiques espacées. L'autre région magnétique comprend un matériau magnétique contenant Co. L'invention concerne en outre d'autres modes de réalisation.
MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS
A magnetic tunnel junction comprises a conductive first magnetic electrode comprising magnetic recording material, a conductive second magnetic electrode spaced from the first electrode and comprising magnetic reference material, and a non-magnetic tunnel insulator material between the first and second electrodes. The magnetic reference material of the second electrode comprises a synthetic antiferromagnetic construction comprising two spaced magnetic regions one of which is closer to the tunnel insulator material than is the other. The one magnetic region comprises a polarizer region comprising CoxFeyBz where "x" is from 0 to 90, "y" is from 10 to 90, and "z" is from 10 to 50. The CoxFeyBz is directly against the tunnel insulator. A non-magnetic region comprising an Os-containing material is between the two spaced magnetic regions. The other magnetic region comprises a magnetic Co-containing material. Other embodiments are disclosed.
La présente invention concerne une jonction tunnel magnétique qui comprend une première électrode magnétique conductrice comprenant un matériau d'enregistrement magnétique, une deuxième électrode magnétique conductrice espacée de la première électrode et comprenant un matériau magnétique de référence, et un matériau isolant à effet tunnel non magnétique disposé entre les première et deuxième électrodes. Le matériau de référence magnétique de la deuxième électrode comprend une construction antiferromagnétique synthétique comprenant deux régions magnétiques espacées dont l'une est plus proche du matériau isolant à effet tunnel que l'autre. La région magnétique comprend une région de polariseur comprenant CoxFeyBz où "x" est de 0 à 90, "y" est de 10 à 90, et "z" est de 10 à 50. Le CoxFeyBz est directement contre l'isolant à effet tunnel. Une région non magnétique comprenant un matériau contenant Os est située entre les deux régions magnétiques espacées. L'autre région magnétique comprend un matériau magnétique contenant Co. L'invention concerne en outre d'autres modes de réalisation.
MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS
JONCTIONS TUNNEL MAGNÉTIQUES
CHEN WEI (Autor:in) / KULA WITOLD (Autor:in) / SIDDIK MANZAR (Autor:in) / RAMARAJAN SURESH (Autor:in) / HARMS JONATHAN D (Autor:in)
16.11.2017
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10N
| British Library Online Contents | 2006
Magnetic tunnel junctions for magnetic random access memory applications
| British Library Online Contents | 2002
MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF
| Europäisches Patentamt | 2020
Nonvolatile Magnetoresistive Random-Access Memory Based on Magnetic Tunnel Junctions
| British Library Online Contents | 2004