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MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS WITH PROTECTION LAYERS
A film stack for a magnetic tunnel comprises a substrate, a magnetic reference layer disposed over the substrate, and a tunnel barrier layer disposed over the magnetic reference layer. The film stack further comprises a magnetic storage layer disposed over the tunnel barrier layer, and a capping layer disposed over the magnetic storage layer. Further, the film stack comprises at least one protection layer disposed between the magnetic reference layer and the tunnel barrier layer and disposed between the magnetic storage layer and the capping layer. Additionally, a material forming the at least one protection layer differs from at least one of a material forming the magnetic reference layer and a material forming the magnetic storage layer.
L'invention concerne un empilement de films pour un tunnel magnétique comprenant un substrat, une couche de référence magnétique disposée sur le substrat, et une couche barrière de tunnel disposée sur la couche de référence magnétique. L'empilement de films peut en outre comprendre une couche de stockage magnétique disposée sur la couche barrière tunnel, et une couche de recouvrement disposée sur la couche de stockage magnétique. En outre, l'empilement de films comprend au moins une couche de protection disposée entre la couche de référence magnétique et la couche barrière de tunnel et disposée entre la couche de stockage magnétique et la couche de recouvrement. De plus, un matériau formant l'au moins une couche de protection diffère d'au moins l'un d'un matériau formant la couche de référence magnétique et d'un matériau formant la couche de stockage magnétique.
MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS WITH PROTECTION LAYERS
A film stack for a magnetic tunnel comprises a substrate, a magnetic reference layer disposed over the substrate, and a tunnel barrier layer disposed over the magnetic reference layer. The film stack further comprises a magnetic storage layer disposed over the tunnel barrier layer, and a capping layer disposed over the magnetic storage layer. Further, the film stack comprises at least one protection layer disposed between the magnetic reference layer and the tunnel barrier layer and disposed between the magnetic storage layer and the capping layer. Additionally, a material forming the at least one protection layer differs from at least one of a material forming the magnetic reference layer and a material forming the magnetic storage layer.
L'invention concerne un empilement de films pour un tunnel magnétique comprenant un substrat, une couche de référence magnétique disposée sur le substrat, et une couche barrière de tunnel disposée sur la couche de référence magnétique. L'empilement de films peut en outre comprendre une couche de stockage magnétique disposée sur la couche barrière tunnel, et une couche de recouvrement disposée sur la couche de stockage magnétique. En outre, l'empilement de films comprend au moins une couche de protection disposée entre la couche de référence magnétique et la couche barrière de tunnel et disposée entre la couche de stockage magnétique et la couche de recouvrement. De plus, un matériau formant l'au moins une couche de protection diffère d'au moins l'un d'un matériau formant la couche de référence magnétique et d'un matériau formant la couche de stockage magnétique.
MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS WITH PROTECTION LAYERS
JONCTIONS TUNNEL MAGNÉTIQUES AVEC COUCHES DE PROTECTION
XUE LIN (Autor:in) / AHN JAESOO (Autor:in) / PATEL SAHIL (Autor:in) / PARK CHANDO (Autor:in) / PAKALA MAHENDRA (Autor:in)
22.04.2021
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10N
British Library Online Contents | 2006
|Magnetic tunnel junctions for magnetic random access memory applications
British Library Online Contents | 2002
|British Library Online Contents | 2007
|MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF
Europäisches Patentamt | 2020
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