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TUNGSTEN SILICIDE TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
Provided is a tungsten silicide target that allows particle generation during sputtering to be suppressed via a different method than in the prior art. The tungsten silicide target has no more than five low-density partially sintered sections of at least 50 μm in size on the sputtering surface per 80,000 mm2.
L'invention concerne une cible en siliciure de tungstène qui permet de supprimer la génération de particules pendant la pulvérisation par l'intermédiaire d'un procédé différent de celui de l'état de la technique. La cible en siliciure de tungstène ne possède pas plus de cinq sections partiellement frittées à faible densité d'une taille d'au moins 50 µm sur la surface de pulvérisation pour 80 000 mm 2.
従来とは異なる手法でスパッタリング時のパーティクルの発生を抑制可能なタングステンシリサイドターゲットを提供する。スパッタ面における大きさ５０μｍ以上の低密度半焼結部分の個数が８００００ｍｍ2当たり５個以下であるタングステンシリサイドターゲット。
TUNGSTEN SILICIDE TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
Provided is a tungsten silicide target that allows particle generation during sputtering to be suppressed via a different method than in the prior art. The tungsten silicide target has no more than five low-density partially sintered sections of at least 50 μm in size on the sputtering surface per 80,000 mm2.
L'invention concerne une cible en siliciure de tungstène qui permet de supprimer la génération de particules pendant la pulvérisation par l'intermédiaire d'un procédé différent de celui de l'état de la technique. La cible en siliciure de tungstène ne possède pas plus de cinq sections partiellement frittées à faible densité d'une taille d'au moins 50 µm sur la surface de pulvérisation pour 80 000 mm 2.
従来とは異なる手法でスパッタリング時のパーティクルの発生を抑制可能なタングステンシリサイドターゲットを提供する。スパッタ面における大きさ５０μｍ以上の低密度半焼結部分の個数が８００００ｍｍ2当たり５個以下であるタングステンシリサイドターゲット。
TUNGSTEN SILICIDE TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
CIBLE EN SILICIURE DE TUNGSTÈNE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
タングステンシリサイドターゲット及びその製造方法
ODA KUNIHIRO (Autor:in) / ASANO TAKAYUKI (Autor:in)
27.09.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
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