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    A tungsten silicide target capable of suppressing the occurrence of particles during sputtering is provided by a method different from conventional methods. The tungsten silicide target includes not more than 5 low-density semi-sintered portions having a size of 50 µm or more per 80000 mm2 on the sputtering surface.

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    Titel:

    TUNGSTEN SILICIDE TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

    Weitere Titelangaben:

    WOLFRAMSILIZID-TARGET UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    CIBLE EN SILICIURE DE TUNGSTÈNE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

    Beteiligte:

    ODA KUNIHIRO (Autor:in) / ASANO TAKAYUKI (Autor:in)

    Erscheinungsdatum:

    12.06.2024

    Medientyp:

    Patent

    Format:

    Elektronische Ressource

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    IPC:  C23C Beschichten metallischer Werkstoffe , COATING METALLIC MATERIAL / C01B NON-METALLIC ELEMENTS , Nichtmetallische Elemente / C04B Kalk , LIME / H01J Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen , ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS

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