Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR SPUTTERING TARGET
The present invention contains, relative to 100% by mass of total metal components, 58%–75% by mass Zn, 1%–30% by mass Ga, and 2%–40% by mass In, with the remainder being Si and unavoidable metallic element impurities. Furthermore, the sputtering target as a whole contains 15%–20% by mass S in addition to the metal components, with the remainder being oxygen and unavoidable impurities. In a structural observation, the area ratio of a gallium oxide single phase in gallium-containing phases is no more than 20%, the relative density is at least 90%, and the specific resistance value is no more than 1 Ω·cm.
La présente invention contient, par rapport à 100 % en masse de constituants métalliques totaux, de 58 % à 75 % en masse de Zn, de 1 % à 30 % en masse de Ga, et de 2 % à 40 % en masse d'In, le reste étant du Si et des impuretés inévitables d'éléments métalliques. En outre, la cible de pulvérisation dans son ensemble contient de 15 % à 20 % en masse de S en plus des constituants métalliques, le reste étant de l'oxygène et des impuretés inévitables. Dans une observation structurale, le rapport de surface d'une phase unique d'oxyde de gallium dans des phases contenant du gallium est inférieur ou égal à 20 %, la densité relative est supérieure ou égale à 90 %, et la valeur de résistance spécifique est inférieure ou égale à 1 Ω·cm.
金属成分の合計を１００質量％として、Ｚｎを５８質量％以上７５質量％以下、Ｇａを１質量％以上３０質量％以下、Ｉｎを２質量％以上４０質量％以下、残部がＳｉおよび不可避不純物金属元素とされた割合で含有し、さらに、スパッタリングターゲット全体として、前記金属成分の他に、Ｓを１５質量％以上２０質量％以下の範囲で含有し、残部が酸素および不可避不純物とされ、組織観察において、ガリウム含有相中における酸化ガリウム単体相の面積率が２０％以下とされており、相対密度が９０％以上とされ、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下とされている。
SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR SPUTTERING TARGET
The present invention contains, relative to 100% by mass of total metal components, 58%–75% by mass Zn, 1%–30% by mass Ga, and 2%–40% by mass In, with the remainder being Si and unavoidable metallic element impurities. Furthermore, the sputtering target as a whole contains 15%–20% by mass S in addition to the metal components, with the remainder being oxygen and unavoidable impurities. In a structural observation, the area ratio of a gallium oxide single phase in gallium-containing phases is no more than 20%, the relative density is at least 90%, and the specific resistance value is no more than 1 Ω·cm.
La présente invention contient, par rapport à 100 % en masse de constituants métalliques totaux, de 58 % à 75 % en masse de Zn, de 1 % à 30 % en masse de Ga, et de 2 % à 40 % en masse d'In, le reste étant du Si et des impuretés inévitables d'éléments métalliques. En outre, la cible de pulvérisation dans son ensemble contient de 15 % à 20 % en masse de S en plus des constituants métalliques, le reste étant de l'oxygène et des impuretés inévitables. Dans une observation structurale, le rapport de surface d'une phase unique d'oxyde de gallium dans des phases contenant du gallium est inférieur ou égal à 20 %, la densité relative est supérieure ou égale à 90 %, et la valeur de résistance spécifique est inférieure ou égale à 1 Ω·cm.
金属成分の合計を１００質量％として、Ｚｎを５８質量％以上７５質量％以下、Ｇａを１質量％以上３０質量％以下、Ｉｎを２質量％以上４０質量％以下、残部がＳｉおよび不可避不純物金属元素とされた割合で含有し、さらに、スパッタリングターゲット全体として、前記金属成分の他に、Ｓを１５質量％以上２０質量％以下の範囲で含有し、残部が酸素および不可避不純物とされ、組織観察において、ガリウム含有相中における酸化ガリウム単体相の面積率が２０％以下とされており、相対密度が９０％以上とされ、比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下とされている。
SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CIBLE DE PULVÉRISATION
スパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法
UMEMOTO KEITA (Autor:in) / MUTSUDA YUYA (Autor:in) / SHIRAI YOSHINORI (Autor:in)
06.09.2019
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| Europäisches Patentamt | 2020
SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD FOR SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| Europäisches Patentamt | 2021
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| Europäisches Patentamt | 2021
OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2020