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OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
To provide an oxide sputtering target that can prevent cracks from occurring even when sputtering deposition is conducted at high output, and enables the sputtering deposition to be conducted stably and with high production efficiency, and a method for producing the oxide sputtering target.SOLUTION: An oxide sputtering target comprises an oxide containing zirconium, silicon and indium as metal components, the maximum particle size of a zirconium oxide phase 11 being 10 μm or less. When an average particle size of the zirconium oxide phase 11 is DZrO, and an average particle size of the other oxide phases 12, 13 is DMO, 0.6≤DMO/DZrO≤1.8 is preferably satisfied.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】高出力でスパッタ成膜した場合であっても割れの発生を抑制でき、安定して生産効率良くスパッタ成膜を行うことが可能な酸化物スパッタリングターゲット、及び、この酸化物スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】金属成分として、ジルコニウム、ケイ素およびインジウムを含有した酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットであって、酸化ジルコニウム相１１の最大粒径が１０μｍ以下とされている。酸化ジルコニウム相１１の平均粒径をＤＺｒＯ、その他の酸化物相１２，１３の平均粒径をＤＭＯとした場合に、０．６≦ＤＭＯ／ＤＺｒＯ≦１．８、を満足することが好ましい。【選択図】図１
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
To provide an oxide sputtering target that can prevent cracks from occurring even when sputtering deposition is conducted at high output, and enables the sputtering deposition to be conducted stably and with high production efficiency, and a method for producing the oxide sputtering target.SOLUTION: An oxide sputtering target comprises an oxide containing zirconium, silicon and indium as metal components, the maximum particle size of a zirconium oxide phase 11 being 10 μm or less. When an average particle size of the zirconium oxide phase 11 is DZrO, and an average particle size of the other oxide phases 12, 13 is DMO, 0.6≤DMO/DZrO≤1.8 is preferably satisfied.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】高出力でスパッタ成膜した場合であっても割れの発生を抑制でき、安定して生産効率良くスパッタ成膜を行うことが可能な酸化物スパッタリングターゲット、及び、この酸化物スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】金属成分として、ジルコニウム、ケイ素およびインジウムを含有した酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットであって、酸化ジルコニウム相１１の最大粒径が１０μｍ以下とされている。酸化ジルコニウム相１１の平均粒径をＤＺｒＯ、その他の酸化物相１２，１３の平均粒径をＤＭＯとした場合に、０．６≦ＤＭＯ／ＤＺｒＯ≦１．８、を満足することが好ましい。【選択図】図１
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
RIKUTA YUYA (Autor:in) / UMEMOTO KEITA (Autor:in)
10.06.2021
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| Europäisches Patentamt | 2021
OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2020
OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2021
MOLYBDENUM OXIDE SPUTTERING TARGET AND MOLYBDENUM OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| Europäisches Patentamt | 2022
OXIDE SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD OF OXIDE SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2018