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OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SPUTTERING TARGET
This oxide sputtering target comprises an oxide that contains zirconium, silicon, and indium as metal components. The oxide sputtering target is characterized in that variation of density in a target sputtering surface is 3% or less and variation of density in the thickness direction is 5% or less.
Cette cible de pulvérisation en oxyde comprend un oxyde qui contient du zirconium, du silicium et de l'indium en tant que constituants métalliques. La cible de pulvérisation en oxyde est caractérisée en ce que la variation de densité dans une surface de pulvérisation cible est inférieure ou égale à 3 % et la variation de densité dans le sens de l'épaisseur est inférieure ou égale à 5 %.
金属成分として、ジルコニウム、ケイ素およびインジウムを含有した酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットであって、ターゲットスパッタ面内における密度のばらつきが3%以内とされ、厚さ方向における密度のばらつきが5%以内とされていることを特徴とする。
OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SPUTTERING TARGET
This oxide sputtering target comprises an oxide that contains zirconium, silicon, and indium as metal components. The oxide sputtering target is characterized in that variation of density in a target sputtering surface is 3% or less and variation of density in the thickness direction is 5% or less.
Cette cible de pulvérisation en oxyde comprend un oxyde qui contient du zirconium, du silicium et de l'indium en tant que constituants métalliques. La cible de pulvérisation en oxyde est caractérisée en ce que la variation de densité dans une surface de pulvérisation cible est inférieure ou égale à 3 % et la variation de densité dans le sens de l'épaisseur est inférieure ou égale à 5 %.
金属成分として、ジルコニウム、ケイ素およびインジウムを含有した酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットであって、ターゲットスパッタ面内における密度のばらつきが3%以内とされ、厚さ方向における密度のばらつきが5%以内とされていることを特徴とする。
OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION EN OXYDE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CIBLE DE PULVÉRISATION EN OXYDE
酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法
UMEMOTO KEITA (Autor:in) / MUTSUDA YUYA (Autor:in) / SHIRAI YOSHINORI (Autor:in) / IO KENSUKE (Autor:in)
05.03.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
Europäisches Patentamt | 2021
|OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
Europäisches Patentamt | 2021
|OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SPUTTERING TARGET
Europäisches Patentamt | 2021
|MOLYBDENUM OXIDE SPUTTERING TARGET AND MOLYBDENUM OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
Europäisches Patentamt | 2022
|OXIDE SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD OF OXIDE SPUTTERING TARGET
Europäisches Patentamt | 2018
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