Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
An oxide sintered body pertaining to an embodiment of the present invention contains indium, gallium, and zinc at ratios that satisfy the following formulas (1) to (3), wherein the oxide sintered body consists of a single crystalline phase, and the average grain size of the crystalline phase is not greater than 15.0 μm. (1) 0.01 ≤ In/(In + Ga + Zn) < 0.20 (2) 0.10 ≤ Ga/(In + Ga + Zn) ≤ 0.49 (3) 0.50 ≤ Zn/(In + Ga + Zn) ≤ 0.89
Un corps fritté d'oxyde appartenant à un mode de réalisation de la présente invention contient de l'indium, du gallium, et du zinc sous des rapports qui satisfont les formules suivantes (1) à (3), le corps fritté d'oxyde étant constitué d'une phase cristalline unique, et la taille moyenne de grain de la phase cristalline n'étant pas supérieure à 15,0 µm. (1) 0,01 ≤ In/(In + Ga + Zn) < 0,20 (2) 0,10 ≤ Ga/(In + Ga + Zn) ≤ 0,49 (3) 0,50 ≤ Zn/(In + Ga + Zn) ≤ 0,89.
実施形態の一様態に係る酸化物焼結体は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を、以下の式（１）～（３）を満たす比率で含む酸化物焼結体であって、単相の結晶相で構成され、結晶相の平均粒径が１５．０μｍ以下である。 ０．０１≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．２０ ・・（１） ０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．４９ ・・（２） ０．５０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．８９ ・・（３）
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
An oxide sintered body pertaining to an embodiment of the present invention contains indium, gallium, and zinc at ratios that satisfy the following formulas (1) to (3), wherein the oxide sintered body consists of a single crystalline phase, and the average grain size of the crystalline phase is not greater than 15.0 μm. (1) 0.01 ≤ In/(In + Ga + Zn) < 0.20 (2) 0.10 ≤ Ga/(In + Ga + Zn) ≤ 0.49 (3) 0.50 ≤ Zn/(In + Ga + Zn) ≤ 0.89
Un corps fritté d'oxyde appartenant à un mode de réalisation de la présente invention contient de l'indium, du gallium, et du zinc sous des rapports qui satisfont les formules suivantes (1) à (3), le corps fritté d'oxyde étant constitué d'une phase cristalline unique, et la taille moyenne de grain de la phase cristalline n'étant pas supérieure à 15,0 µm. (1) 0,01 ≤ In/(In + Ga + Zn) < 0,20 (2) 0,10 ≤ Ga/(In + Ga + Zn) ≤ 0,49 (3) 0,50 ≤ Zn/(In + Ga + Zn) ≤ 0,89.
実施形態の一様態に係る酸化物焼結体は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を、以下の式（１）～（３）を満たす比率で含む酸化物焼結体であって、単相の結晶相で構成され、結晶相の平均粒径が１５．０μｍ以下である。 ０．０１≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．２０ ・・（１） ０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．４９ ・・（２） ０．５０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．８９ ・・（３）
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
CORPS FRITTÉ D'OXYDE, CIBLE DE PULVÉRISATION, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM FIN D'OXYDE
酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび酸化物薄膜の製造方法
TERAMURA KYOSUKE (Autor:in) / FUKAGAWA KOJI (Autor:in)
24.10.2019
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE THIN FILM AND OXIDE SINTERED BODY FOR SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
Europäisches Patentamt | 2021
OXIDE THIN FILM AND OXIDE SINTERED BODY FOR SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
| Europäisches Patentamt | 2021
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET AND OXIDE THIN FILM
| Europäisches Patentamt | 2016
| Europäisches Patentamt | 2024
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM USING SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2015