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OXIDE THIN FILM AND OXIDE SINTERED BODY FOR SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
Nb, Mo, O로 이루어지는 산화물 박막이며, Nb와 Mo의 함유 비율(원자비)이 0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8, O와 메탈(Nb+Mo)의 함유 비율(원자비)이 1.5<O/(Nb+Mo)<2.0인 것을 특징으로 하는 산화물 박막. 또한, Nb, Mo, O로 이루어지는 산화물 소결체이며, Nb와 Mo의 함유 비율(원자비)이 0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8, O와 메탈(Nb+Mo)의 함유 비율(원자비)이 1.5<O/(Nb+Mo)<2.1, MoO2상의 (-111)면에 귀속되는 XRD 피크 강도 IMoO2와 백그라운드 강도 IBG의 관계가 IMoO2/IBG>3을 만족시키는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체. 본 발명은, 반사율 및 투과율이 낮고 우수한 광 흡수능을 갖고, 또한 에칭액에 녹아, 가공이 용이한 한편, 내후성이 높아, 경시 변화가 일어나기 어렵다고 하는 우수한 특성을 갖는 산화물 박막, 및 당해 박막의 형성에 적합한 스퍼터링 타깃용 산화물 소결체를 제공하는 것을 과제로 한다.
OXIDE THIN FILM AND OXIDE SINTERED BODY FOR SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
Nb, Mo, O로 이루어지는 산화물 박막이며, Nb와 Mo의 함유 비율(원자비)이 0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8, O와 메탈(Nb+Mo)의 함유 비율(원자비)이 1.5<O/(Nb+Mo)<2.0인 것을 특징으로 하는 산화물 박막. 또한, Nb, Mo, O로 이루어지는 산화물 소결체이며, Nb와 Mo의 함유 비율(원자비)이 0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8, O와 메탈(Nb+Mo)의 함유 비율(원자비)이 1.5<O/(Nb+Mo)<2.1, MoO2상의 (-111)면에 귀속되는 XRD 피크 강도 IMoO2와 백그라운드 강도 IBG의 관계가 IMoO2/IBG>3을 만족시키는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체. 본 발명은, 반사율 및 투과율이 낮고 우수한 광 흡수능을 갖고, 또한 에칭액에 녹아, 가공이 용이한 한편, 내후성이 높아, 경시 변화가 일어나기 어렵다고 하는 우수한 특성을 갖는 산화물 박막, 및 당해 박막의 형성에 적합한 스퍼터링 타깃용 산화물 소결체를 제공하는 것을 과제로 한다.
OXIDE THIN FILM AND OXIDE SINTERED BODY FOR SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
산화물 박막 및 당해 박막을 제조하기 위한 스퍼터링 타깃용 산화물 소결체
22.10.2021
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
OXIDE THIN FILM AND OXIDE SINTERED BODY FOR SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
Europäisches Patentamt | 2021
|OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET AND OXIDE THIN FILM
Europäisches Patentamt | 2016
|OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM
Europäisches Patentamt | 2019
|OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN-FILM TRANSISTOR
Europäisches Patentamt | 2019
|OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN-FILM TRANSISTOR
Europäisches Patentamt | 2019
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