Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE
In a silicon nitride sintered body having silicon nitride crystal grains and a grain boundary phase, dislocation defects exist in the interior of at least some of the silicon nitride crystal grains. The proportion of the number of the at least some of the silicon nitride crystal grains in 50 arbitrary silicon nitride crystal grains the full contour of which can be seen in an arbitrary cross-section or surface of a silicon nitride sintered body is characterized by being from 50% to 100%. The thickness of a silicon nitride substrate that uses the silicon nitride sintered body is preferably within a range of from 0.1 mm to 0.4 mm. Also, the TCT characteristics can be improved by using the silicon nitride substrate as a silicon nitride circuit substrate.
L'invention concerne un corps fritté en nitrure de silicium présentant des grains cristallins de nitrure de silicium et une phase de limite de grain, dans lequel des défauts de dislocation existent à l'intérieur d'au moins certains des grains cristallins de nitrure de silicium. La proportion du nombre desdits au moins certains des grains cristallins de nitrure de silicium dans 50 grains cristallins de nitrure de silicium arbitraires, dont le contour complet peut être vu dans une section transversale ou une surface arbitraire d'un corps fritté en nitrure de silicium est caractérisée en ce qu'elle est de 50 % à 100 %. L'épaisseur d'un substrat de nitrure de silicium qui utilise le corps fritté en nitrure de silicium est de préférence située dans une plage de 0,1 mm à 0,4 mm En outre, les caractéristiques TCT peuvent être améliorées par l'utilisation du substrat en nitrure de silicium en tant que substrat de circuit en nitrure de silicium.
窒化珪素結晶粒子及び粒界相を備える窒化珪素焼結体において、少なくとも一部の前記窒化珪素結晶粒子の内部には、転位欠陥部が存在する。窒化珪素焼結体の任意の断面または表面において、全輪郭がみえる任意の５０個の前記窒化珪素結晶粒子における前記少なくとも一部の前記窒化珪素結晶粒子の数の割合が、５０％以上１００％以下であることを特徴とする。窒化珪素焼結体を用いた窒化珪素基板の厚さは、０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、窒化珪素基板を窒化珪素回路基板に用いて、ＴＣＴ特性を向上させることができる。
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE
In a silicon nitride sintered body having silicon nitride crystal grains and a grain boundary phase, dislocation defects exist in the interior of at least some of the silicon nitride crystal grains. The proportion of the number of the at least some of the silicon nitride crystal grains in 50 arbitrary silicon nitride crystal grains the full contour of which can be seen in an arbitrary cross-section or surface of a silicon nitride sintered body is characterized by being from 50% to 100%. The thickness of a silicon nitride substrate that uses the silicon nitride sintered body is preferably within a range of from 0.1 mm to 0.4 mm. Also, the TCT characteristics can be improved by using the silicon nitride substrate as a silicon nitride circuit substrate.
L'invention concerne un corps fritté en nitrure de silicium présentant des grains cristallins de nitrure de silicium et une phase de limite de grain, dans lequel des défauts de dislocation existent à l'intérieur d'au moins certains des grains cristallins de nitrure de silicium. La proportion du nombre desdits au moins certains des grains cristallins de nitrure de silicium dans 50 grains cristallins de nitrure de silicium arbitraires, dont le contour complet peut être vu dans une section transversale ou une surface arbitraire d'un corps fritté en nitrure de silicium est caractérisée en ce qu'elle est de 50 % à 100 %. L'épaisseur d'un substrat de nitrure de silicium qui utilise le corps fritté en nitrure de silicium est de préférence située dans une plage de 0,1 mm à 0,4 mm En outre, les caractéristiques TCT peuvent être améliorées par l'utilisation du substrat en nitrure de silicium en tant que substrat de circuit en nitrure de silicium.
窒化珪素結晶粒子及び粒界相を備える窒化珪素焼結体において、少なくとも一部の前記窒化珪素結晶粒子の内部には、転位欠陥部が存在する。窒化珪素焼結体の任意の断面または表面において、全輪郭がみえる任意の５０個の前記窒化珪素結晶粒子における前記少なくとも一部の前記窒化珪素結晶粒子の数の割合が、５０％以上１００％以下であることを特徴とする。窒化珪素焼結体を用いた窒化珪素基板の厚さは、０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、窒化珪素基板を窒化珪素回路基板に用いて、ＴＣＴ特性を向上させることができる。
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE
CORPS FRITTÉ EN NITRURE DE SILICIUM, SUBSTRAT EN NITRURE DE SILICIUM ET SUBSTRAT DE CIRCUIT EN NITRURE DE SILICIUM
窒化珪素焼結体、窒化珪素基板、及び窒化珪素回路基板
AOKI KATSUYUKI (Autor:in) / IWAI KENTARO (Autor:in) / FUKASAWA TAKAYUKI (Autor:in) / MOMMA JUN (Autor:in) / SANO TAKASHI (Autor:in)
06.02.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SILICON NITRIDE SINTERED BODY, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, AND SILICON NITRIDE CIRCUIT SUBSTRATE
| Europäisches Patentamt | 2022
Silicon nitride sintered body, silicon nitride substrate, and silicon nitride circuit board
| Europäisches Patentamt | 2025
Silicon Nitride Sintered Body, Silicon Nitride Substrate, And Silicon Nitride Circuit Board
| Europäisches Patentamt | 2021
| Europäisches Patentamt | 2020
| Europäisches Patentamt | 2020