Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SEMICONDUCTIVE CERAMIC MEMBER
A semiconductive ceramic member according to the present disclosure contains a plurality of aluminum oxide crystal grains and a plurality of titanium oxide crystal grains. The total amount of aluminum oxide and titanium oxide in 100% by mass of all the components is 99% by mass or more. The amount of the aluminum oxide in 100% by mass of the total of the aluminum oxide and the titanium oxide is from 86% by mass to 96% by mass (inclusive); and the amount of the titanium oxide in 100% by mass of the total of the aluminum oxide and the titanium oxide is from 4% by mass to 14% by mass (inclusive). In a measurement by X-ray photoelectron spectroscopy, there is a peak of TiOx (0 < x < 2) within the binding energy range of from 456 eV to 462 eV (inclusive). This semiconductive ceramic member additionally contains silicon; and the content of the silicon in terms of oxide in a first region is higher than the content of the silicon in terms of oxide at the grain boundary.
L'invention concerne un élément en céramique semi-conducteur contenant une pluralité de grains cristallins d'oxyde d'aluminium et une pluralité de grains cristallins d'oxyde de titane. La quantité totale d'oxyde d'aluminium et d'oxyde de titane dans 100 % en masse de tous les composants est de 99 % en masse ou plus. La quantité d'oxyde d'aluminium dans 100 % en masse du total de l'oxyde d'aluminium et de l'oxyde de titane est de 86 % en masse à 96 % en masse (inclus) ; et la quantité d'oxyde de titane dans 100 % en masse du total de l'oxyde d'aluminium et de l'oxyde de titane est de 4 % en masse à 14 % en masse (inclus). Dans une mesure par spectroscopie photoélectronique à rayons X, il y a un pic de TiOx (0 < x < 2) dans la plage d'énergie de liaison allant de 456 eV à 462 eV (inclus). Cet élément céramique semi-conducteur contient en outre du silicium ; et la teneur en silicium en termes d'oxyde dans une première région est supérieure à la teneur en silicium en termes d'oxyde au niveau de la limite de grain.
本開示の半導電性セラミック部材は、酸化アルミニウム結晶粒子および酸化チタン結晶粒子をそれぞれ複数含有する。また、全成分１００質量％のうち、酸化アルミニウムおよび酸化チタンの合計が９９質量％以上である。また、前記酸化アルミニウムおよび前記酸化チタンの合計１００質量％のうち、前記酸化アルミニウムが８６質量％以上９６質量％以下であり、前記酸化チタンが４質量％以上１４質量％以下である。また、Ｘ線光電子分光による測定において、結合エネルギーが４５６ｅＶ以上４６２ｅＶ以下の範囲にＴｉＯx（０＜ｘ＜２）のピークが存在する。さらに、珪素を含有しており、第１領域における前記珪素の酸化物換算での含有量が、粒界における前記珪素の酸化物換算での含有量よりも多い。
SEMICONDUCTIVE CERAMIC MEMBER
A semiconductive ceramic member according to the present disclosure contains a plurality of aluminum oxide crystal grains and a plurality of titanium oxide crystal grains. The total amount of aluminum oxide and titanium oxide in 100% by mass of all the components is 99% by mass or more. The amount of the aluminum oxide in 100% by mass of the total of the aluminum oxide and the titanium oxide is from 86% by mass to 96% by mass (inclusive); and the amount of the titanium oxide in 100% by mass of the total of the aluminum oxide and the titanium oxide is from 4% by mass to 14% by mass (inclusive). In a measurement by X-ray photoelectron spectroscopy, there is a peak of TiOx (0 < x < 2) within the binding energy range of from 456 eV to 462 eV (inclusive). This semiconductive ceramic member additionally contains silicon; and the content of the silicon in terms of oxide in a first region is higher than the content of the silicon in terms of oxide at the grain boundary.
L'invention concerne un élément en céramique semi-conducteur contenant une pluralité de grains cristallins d'oxyde d'aluminium et une pluralité de grains cristallins d'oxyde de titane. La quantité totale d'oxyde d'aluminium et d'oxyde de titane dans 100 % en masse de tous les composants est de 99 % en masse ou plus. La quantité d'oxyde d'aluminium dans 100 % en masse du total de l'oxyde d'aluminium et de l'oxyde de titane est de 86 % en masse à 96 % en masse (inclus) ; et la quantité d'oxyde de titane dans 100 % en masse du total de l'oxyde d'aluminium et de l'oxyde de titane est de 4 % en masse à 14 % en masse (inclus). Dans une mesure par spectroscopie photoélectronique à rayons X, il y a un pic de TiOx (0 < x < 2) dans la plage d'énergie de liaison allant de 456 eV à 462 eV (inclus). Cet élément céramique semi-conducteur contient en outre du silicium ; et la teneur en silicium en termes d'oxyde dans une première région est supérieure à la teneur en silicium en termes d'oxyde au niveau de la limite de grain.
本開示の半導電性セラミック部材は、酸化アルミニウム結晶粒子および酸化チタン結晶粒子をそれぞれ複数含有する。また、全成分１００質量％のうち、酸化アルミニウムおよび酸化チタンの合計が９９質量％以上である。また、前記酸化アルミニウムおよび前記酸化チタンの合計１００質量％のうち、前記酸化アルミニウムが８６質量％以上９６質量％以下であり、前記酸化チタンが４質量％以上１４質量％以下である。また、Ｘ線光電子分光による測定において、結合エネルギーが４５６ｅＶ以上４６２ｅＶ以下の範囲にＴｉＯx（０＜ｘ＜２）のピークが存在する。さらに、珪素を含有しており、第１領域における前記珪素の酸化物換算での含有量が、粒界における前記珪素の酸化物換算での含有量よりも多い。
SEMICONDUCTIVE CERAMIC MEMBER
ÉLÉMENT EN CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTEUR
半導電性セラミック部材
TATEYAMA YASUHARU (Autor:in) / HIRANO YOSHINORI (Autor:in) / FUJITA NAOYA (Autor:in) / TSUJITAKE SENRI (Autor:in) / KOHSAKA SHOJI (Autor:in)
09.04.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SEMICONDUCTIVE CERAMIC MEMBER AND HOLDER FOR WAFER CONVEYANCE
| Europäisches Patentamt | 2019
SEMICONDUCTIVE CERAMIC MEMBER AND HOLDER FOR WAFER CONVEYANCE
| Europäisches Patentamt | 2018