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OXIDE SPUTTERING TARGET
One embodiment of this oxide sputtering target is an oxide formed from a metal component and oxygen, the metal component containing an amount of Al within the range of 0.3-3.7 mass% (inclusive), an amount of Si within the range of 6.0-14.5 mass% (inclusive), and an amount of an M element within the range of 0.003-0.1 mass% (inclusive), the M element being one or more selected from Zr, Hf, and Y, where the total metal-component content is 100 mass%, the balance being Zn and unavoidable impurities.
La cible de pulvérisation cathodique d'oxyde de l'invention consiste en un oxyde constitué d'un composant métallique et d'un oxygène. Le composant métallique comprend, pour une teneur totale en composant métallique équivalente à 100% en masse, un Al en quantité comprise à l'intérieur d'une plage supérieure ou égale à 0,3% en masse et inférieure ou égale à 3,7% en masse, un Si en quantité comprise à l'intérieur d'une plage supérieure ou égale à 6,0% en masse et inférieure ou égale à 14,5% en masse, et un élément M constitué d'un ou plusieurs éléments choisis parmi Ｚｒ, Ｈｆ et Ｙ en quantité comprise à l'intérieur d'une plage supérieure ou égale à 0,003% en masse et inférieure ou égale à 0,1% en masse. Le reste étant constitué de Zn et des impuretés inévitables.
この酸化物スパッタリングターゲットの一態様は、金属成分と酸素とからなる酸化物であり、金属成分は、金属成分の合計含有量を１００ｍａｓｓ％として、Ａｌを０．３ｍａｓｓ％以上３．７ｍａｓｓ％以下の範囲内の量、Ｓｉを６．０ｍａｓｓ％以上１４．５ｍａｓｓ％以下の範囲内の量、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙから選択される一種又は二種以上からなるＭ元素を０．００３ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％以下の範囲内の合計量で含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる。
OXIDE SPUTTERING TARGET
One embodiment of this oxide sputtering target is an oxide formed from a metal component and oxygen, the metal component containing an amount of Al within the range of 0.3-3.7 mass% (inclusive), an amount of Si within the range of 6.0-14.5 mass% (inclusive), and an amount of an M element within the range of 0.003-0.1 mass% (inclusive), the M element being one or more selected from Zr, Hf, and Y, where the total metal-component content is 100 mass%, the balance being Zn and unavoidable impurities.
La cible de pulvérisation cathodique d'oxyde de l'invention consiste en un oxyde constitué d'un composant métallique et d'un oxygène. Le composant métallique comprend, pour une teneur totale en composant métallique équivalente à 100% en masse, un Al en quantité comprise à l'intérieur d'une plage supérieure ou égale à 0,3% en masse et inférieure ou égale à 3,7% en masse, un Si en quantité comprise à l'intérieur d'une plage supérieure ou égale à 6,0% en masse et inférieure ou égale à 14,5% en masse, et un élément M constitué d'un ou plusieurs éléments choisis parmi Ｚｒ, Ｈｆ et Ｙ en quantité comprise à l'intérieur d'une plage supérieure ou égale à 0,003% en masse et inférieure ou égale à 0,1% en masse. Le reste étant constitué de Zn et des impuretés inévitables.
この酸化物スパッタリングターゲットの一態様は、金属成分と酸素とからなる酸化物であり、金属成分は、金属成分の合計含有量を１００ｍａｓｓ％として、Ａｌを０．３ｍａｓｓ％以上３．７ｍａｓｓ％以下の範囲内の量、Ｓｉを６．０ｍａｓｓ％以上１４．５ｍａｓｓ％以下の範囲内の量、Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙから選択される一種又は二種以上からなるＭ元素を０．００３ｍａｓｓ％以上０．１ｍａｓｓ％以下の範囲内の合計量で含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる。
OXIDE SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE D'OXYDE
酸化物スパッタリングターゲット
YAMAGUCHI GO (Autor:in) / KIUCHI KAHO (Autor:in) / MUTSUDA YUYA (Autor:in)
29.04.2021
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| Europäisches Patentamt | 2021
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| Europäisches Patentamt | 2021
OXIDE SPUTTERING TARGET, AND METHOD OF PRODUCING OXIDE SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2022
Oxide sputtering target and method for producing oxide sputtering target
| Europäisches Patentamt | 2022