Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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FERROELECTRIC THIN FILM, ELECTRONIC ELEMENT USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC THIN FILM
[Problem] An objective of the present invention is to provide a ferroelectric thin film that is very highly ferroelectric and is stable enough to withstand actual use compared to conventional ferroelectric thin films formed from scandium-doped aluminum nitride; as well as an electronic element using the same. [Solution] Provided are a ferroelectric thin film that is represented by the chemical formula M11–XM2XN, wherein M1 is Al or Ga, M2 is at least one element selected from Mg, Sc, and Nb, and X is in a range of 0 to 1, inclusive; as well as an electronic element using the same.
Le problème décrit par la présente invention est de fournir un film mince ferroélectrique qui est très hautement ferroélectrique et qui est suffisamment stable pour résister à une utilisation réelle par rapport aux films minces ferroélectriques classiques formés à partir de nitrure d'aluminium dopé au scandium, ainsi qu'un élément électronique utilisant ce film. La Solution selon l'invention porte sur un film mince ferroélectrique qui est représenté par la formule chimique M11-XM2XN, où M1 est Al ou Ga, M2 est au moins un élément choisi parmi Mg, Sc et Nb, et X est compris entre 0 et 1 inclus ; ainsi qu'un élément électronique utilisant celui-ci.
【課題】従来のスカンジウムを添加した窒化アルミニウムで構成された強誘電性薄膜と比較して、非常に高い強誘電性を有すると共に、実用に耐え得る安定性を有する強誘電性薄膜、およびそれを用いた電子素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 化学式Ｍ１１－ＸＭ２ＸＮで表され、Ｍ１はＡｌまたはＧａであり、Ｍ２はＭｇ、ＳｃおよびＮｂから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｘは０以上で、１以下の範囲にある強誘電性薄膜およびそれを用いた電子素子を提供する。
FERROELECTRIC THIN FILM, ELECTRONIC ELEMENT USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC THIN FILM
[Problem] An objective of the present invention is to provide a ferroelectric thin film that is very highly ferroelectric and is stable enough to withstand actual use compared to conventional ferroelectric thin films formed from scandium-doped aluminum nitride; as well as an electronic element using the same. [Solution] Provided are a ferroelectric thin film that is represented by the chemical formula M11–XM2XN, wherein M1 is Al or Ga, M2 is at least one element selected from Mg, Sc, and Nb, and X is in a range of 0 to 1, inclusive; as well as an electronic element using the same.
Le problème décrit par la présente invention est de fournir un film mince ferroélectrique qui est très hautement ferroélectrique et qui est suffisamment stable pour résister à une utilisation réelle par rapport aux films minces ferroélectriques classiques formés à partir de nitrure d'aluminium dopé au scandium, ainsi qu'un élément électronique utilisant ce film. La Solution selon l'invention porte sur un film mince ferroélectrique qui est représenté par la formule chimique M11-XM2XN, où M1 est Al ou Ga, M2 est au moins un élément choisi parmi Mg, Sc et Nb, et X est compris entre 0 et 1 inclus ; ainsi qu'un élément électronique utilisant celui-ci.
【課題】従来のスカンジウムを添加した窒化アルミニウムで構成された強誘電性薄膜と比較して、非常に高い強誘電性を有すると共に、実用に耐え得る安定性を有する強誘電性薄膜、およびそれを用いた電子素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 化学式Ｍ１１－ＸＭ２ＸＮで表され、Ｍ１はＡｌまたはＧａであり、Ｍ２はＭｇ、ＳｃおよびＮｂから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｘは０以上で、１以下の範囲にある強誘電性薄膜およびそれを用いた電子素子を提供する。
FERROELECTRIC THIN FILM, ELECTRONIC ELEMENT USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC THIN FILM
FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE L'UTILISANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM MINCE FERROÉLECTRIQUE
強誘電性薄膜、それを用いた電子素子および強誘電性薄膜の製造方法
UEHARA MASATO (Autor:in) / AKIYAMA MORITO (Autor:in) / YAMADA HIROSHI (Autor:in) / FUNAKUBO HIROSHI (Autor:in) / SHIMIZU TAKAO (Autor:in) / YASUOKA SHINNOSUKE (Autor:in)
01.07.2021
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
C01B
NON-METALLIC ELEMENTS
,
Nichtmetallische Elemente
/
C01F
COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
,
Verbindungen der Metalle Beryllium, Magnesium, Aluminium, Calcium, Strontium, Barium, Radium, Thorium oder der Seltenen Erden
/
C01G
Verbindungen der von den Unterklassen C01D oder C01F nicht umfassten Metalle
,
COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C30B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH
,
Züchten von Einkristallen
/
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
/
H10N
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Ferroelectric film, electronic component using same, and method for manufacturing ferroelectric film
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