Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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JOINED BODY, CERAMIC COPPER CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
This joined body according to one embodiment comprises a ceramic substrate, a copper plate, and a joining layer disposed at least on one surface of the ceramic substrate to join the ceramic substrate and the copper plate together. The joining layer contains titanium. The joining layer includes a layer in which titanium is a main component. This layer has a first region and a second region, the first region being formed at the interface between the joining layer and the ceramic substrate, and the second region being located between the first region and the copper plate. When the concentrations of titanium in the first region and in the second region, within a region of 200 µm × the thickness of each of the measurement regions, are measured by the EDX, the joined body is characterized by having a ratio M1/M2 of the titanium concentration in the first region, M1 at%, to the titanium concentration in the second region, M2 at%, of 0.1-5.
Le présent corps assemblé selon un mode de réalisation comprend un substrat en céramique, une plaque de cuivre, et une couche d'assemblage disposée au moins sur une surface du substrat en céramique pour assembler le substrat en céramique et la plaque de cuivre. La couche d'assemblage contient du titane. La couche d'assemblage comprend une couche dans laquelle le titane est un composant principal. La présente couche comporte une première région et une seconde région, la première région étant formée au niveau de l'interface entre la couche d'assemblage et le substrat en céramique, et la seconde région étant située entre la première région et la plaque de cuivre. Lorsque les concentrations de titane dans la première région et dans la seconde région, dans une région de 200 µm × l'épaisseur de chacune des régions de mesure, sont mesurées par l'EDX, le corps assemblé est caractérisé en ce qu'il présente un ratio M1/M2 de la concentration en titane dans la première région, M1 en % atomique, par rapport à la concentration en titane dans la seconde région, M2 en % atomique, de 0,1 à 5.
実施形態にかかる接合体は、セラミックス基板と、銅板と、前記セラミックス基板の少なくとも一方の面に配置され、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する接合層と、を備える。前記接合層は、チタンを含有する。前記接合層は、チタンを主成分とした層を含み、前記層が前記接合層の前記セラミックス基板との界面に形成された、第一領域と、前記第一領域と前記銅板との間に位置する第二領域と、を有する。前記接合体は、前記第一領域及び前記第二領域のそれぞれの測定領域の２００μｍ×厚みの範囲におけるＴｉ濃度をＥＤＸにより測定したときの、前記第一領域のチタン濃度Ｍ１ａｔ％と前記第二領域のチタン濃度Ｍ２ａｔ％の比Ｍ１／Ｍ２が０．１以上５以下であることを特徴とする。
JOINED BODY, CERAMIC COPPER CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
This joined body according to one embodiment comprises a ceramic substrate, a copper plate, and a joining layer disposed at least on one surface of the ceramic substrate to join the ceramic substrate and the copper plate together. The joining layer contains titanium. The joining layer includes a layer in which titanium is a main component. This layer has a first region and a second region, the first region being formed at the interface between the joining layer and the ceramic substrate, and the second region being located between the first region and the copper plate. When the concentrations of titanium in the first region and in the second region, within a region of 200 µm × the thickness of each of the measurement regions, are measured by the EDX, the joined body is characterized by having a ratio M1/M2 of the titanium concentration in the first region, M1 at%, to the titanium concentration in the second region, M2 at%, of 0.1-5.
Le présent corps assemblé selon un mode de réalisation comprend un substrat en céramique, une plaque de cuivre, et une couche d'assemblage disposée au moins sur une surface du substrat en céramique pour assembler le substrat en céramique et la plaque de cuivre. La couche d'assemblage contient du titane. La couche d'assemblage comprend une couche dans laquelle le titane est un composant principal. La présente couche comporte une première région et une seconde région, la première région étant formée au niveau de l'interface entre la couche d'assemblage et le substrat en céramique, et la seconde région étant située entre la première région et la plaque de cuivre. Lorsque les concentrations de titane dans la première région et dans la seconde région, dans une région de 200 µm × l'épaisseur de chacune des régions de mesure, sont mesurées par l'EDX, le corps assemblé est caractérisé en ce qu'il présente un ratio M1/M2 de la concentration en titane dans la première région, M1 en % atomique, par rapport à la concentration en titane dans la seconde région, M2 en % atomique, de 0,1 à 5.
実施形態にかかる接合体は、セラミックス基板と、銅板と、前記セラミックス基板の少なくとも一方の面に配置され、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する接合層と、を備える。前記接合層は、チタンを含有する。前記接合層は、チタンを主成分とした層を含み、前記層が前記接合層の前記セラミックス基板との界面に形成された、第一領域と、前記第一領域と前記銅板との間に位置する第二領域と、を有する。前記接合体は、前記第一領域及び前記第二領域のそれぞれの測定領域の２００μｍ×厚みの範囲におけるＴｉ濃度をＥＤＸにより測定したときの、前記第一領域のチタン濃度Ｍ１ａｔ％と前記第二領域のチタン濃度Ｍ２ａｔ％の比Ｍ１／Ｍ２が０．１以上５以下であることを特徴とする。
JOINED BODY, CERAMIC COPPER CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
CORPS ASSEMBLÉ, SUBSTRAT DE CIRCUIT CUIVRÉ EN CÉRAMIQUE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
接合体、セラミックス銅回路基板、及び半導体装置
YONETSU MAKI (Autor:in) / SUENAGA SEIICHI (Autor:in) / FUJISAWA SACHIKO (Autor:in) / SANO TAKASHI (Autor:in)
25.11.2021
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
JOINED BODY, CERAMIC COPPER CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2023
JOINED BODY, CERAMIC-COPPER CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2022