Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM
A purpose of the present invention is to lower the specific resistance of a sputtering target containing silicon nitride (Si3N4). Provided is a sputtering target containing Si3N4, SiC, MgO, and TiCN, and having a specific resistance of 10 mΩ · cm or less.
L'objectif de la présente invention est de réduire la résistance spécifique d'une cible de pulvérisation contenant du nitrure de silicium (Si3N4). L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique contenant du Si3N4, du SiC, du MgO et du TiCN, et ayant une résistance spécifique inférieure ou égale à 10 mΩ · cm.
窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を含有するスパッタリングターゲットの比抵抗を低くする。Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣ、ＭｇＯ、及びＴｉＣＮを含有し、比抵抗が１０ｍΩ・ｃｍ以下であるスパッタリングターゲット。
SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM
A purpose of the present invention is to lower the specific resistance of a sputtering target containing silicon nitride (Si3N4). Provided is a sputtering target containing Si3N4, SiC, MgO, and TiCN, and having a specific resistance of 10 mΩ · cm or less.
L'objectif de la présente invention est de réduire la résistance spécifique d'une cible de pulvérisation contenant du nitrure de silicium (Si3N4). L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique contenant du Si3N4, du SiC, du MgO et du TiCN, et ayant une résistance spécifique inférieure ou égale à 10 mΩ · cm.
窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を含有するスパッタリングターゲットの比抵抗を低くする。Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣ、ＭｇＯ、及びＴｉＣＮを含有し、比抵抗が１０ｍΩ・ｃｍ以下であるスパッタリングターゲット。
SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM
CIBLE DE PULVÉRISATION, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR SUPPORT D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE
スパッタリングターゲット、その製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法
IWABUCHI YASUYUKI (Autor:in)
10.03.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
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SPUTTERING TARGET MATERIAL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SPUTTERING TARGET
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SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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