Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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BONDED BODY, CERAMIC CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
A bonded body according to the present embodiment is provided with a ceramic substrate, a copper plate, and a bonding layer. The bonding layer is disposed on at least one surface of the ceramic substrate and bonds the ceramic substrate and the copper plate. The bonding layer includes a Ti reaction layer and a plurality of first alloys. The Ti reaction layer contains titanium nitride or titanium oxide as a main component. The plurality of first alloys are located between the Ti reaction layer and the copper plate. Each of the plurality of first alloys contains at least one selected from a Cu-Sn alloy and a Cu-In alloy. The plurality of first alloys have mutually differing Sn concentrations or In concentrations. The amount of warping can be reduced by using the present embodiment. Furthermore, the speed of heating and the speed of cooling in a joining process can be increased. In the present embodiment, a silicon nitride substrate is suitable as the ceramic substrate.
Un corps collé selon le présent mode de réalisation est pourvu d'un substrat en céramique, d'une plaque de cuivre et d'une couche de collage. La couche de collage est disposée sur au moins une surface du substrat en céramique et colle le substrat céramique et la plaque de cuivre. La couche de collage comprend une couche de réaction à base de Ti et une pluralité de premiers alliages. La couche de réaction à base de Ti contient du nitrure de titane ou de l'oxyde de titane en tant que constituant principal. La pluralité de premiers alliages sont situés entre la couche de réaction à base de Ti et la plaque de cuivre. Chacun de la pluralité de premiers alliages contient au moins un alliage choisi parmi un alliage de Cu-Sn et un alliage de Cu-In. La pluralité de premiers alliages présentent des concentrations en Sn ou des concentrations en In mutuellement différentes. La quantité de gauchissement peut être réduite au moyen du présent mode de réalisation. En outre, la vitesse de chauffage et la vitesse de refroidissement dans un procédé d'assemblage peuvent être augmentées. Dans le présent mode de réalisation, un substrat en nitrure de silicium est approprié en tant que substrat en céramique.
実施形態に係る接合体は、セラミックス基板と、銅板と、接合層と、を備える。接合層は、前記セラミックス基板の少なくとも一方の面に配置され、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する。前記接合層は、Ｔｉ反応層および複数の第１合金を含む。前記Ｔｉ反応層は、窒化チタンまたは酸化チタンを主成分として含有する。前記複数の第１合金は、前記Ｔｉ反応層と前記銅板との間に位置する。前記複数の第１合金のそれぞれは、Ｃｕ－Ｓｎ合金およびＣｕ－Ｉｎ合金から選択される１つ以上を含有する。前記複数の第１合金は、互いに異なるＳｎ濃度またはＩｎ濃度を有する。実施形態によれば、反り量を低減できる。また、接合工程の昇温速度および降温速度を速めることができる。実施形態では、セラミックス基板として窒化珪素基板が好適である。
BONDED BODY, CERAMIC CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
A bonded body according to the present embodiment is provided with a ceramic substrate, a copper plate, and a bonding layer. The bonding layer is disposed on at least one surface of the ceramic substrate and bonds the ceramic substrate and the copper plate. The bonding layer includes a Ti reaction layer and a plurality of first alloys. The Ti reaction layer contains titanium nitride or titanium oxide as a main component. The plurality of first alloys are located between the Ti reaction layer and the copper plate. Each of the plurality of first alloys contains at least one selected from a Cu-Sn alloy and a Cu-In alloy. The plurality of first alloys have mutually differing Sn concentrations or In concentrations. The amount of warping can be reduced by using the present embodiment. Furthermore, the speed of heating and the speed of cooling in a joining process can be increased. In the present embodiment, a silicon nitride substrate is suitable as the ceramic substrate.
Un corps collé selon le présent mode de réalisation est pourvu d'un substrat en céramique, d'une plaque de cuivre et d'une couche de collage. La couche de collage est disposée sur au moins une surface du substrat en céramique et colle le substrat céramique et la plaque de cuivre. La couche de collage comprend une couche de réaction à base de Ti et une pluralité de premiers alliages. La couche de réaction à base de Ti contient du nitrure de titane ou de l'oxyde de titane en tant que constituant principal. La pluralité de premiers alliages sont situés entre la couche de réaction à base de Ti et la plaque de cuivre. Chacun de la pluralité de premiers alliages contient au moins un alliage choisi parmi un alliage de Cu-Sn et un alliage de Cu-In. La pluralité de premiers alliages présentent des concentrations en Sn ou des concentrations en In mutuellement différentes. La quantité de gauchissement peut être réduite au moyen du présent mode de réalisation. En outre, la vitesse de chauffage et la vitesse de refroidissement dans un procédé d'assemblage peuvent être augmentées. Dans le présent mode de réalisation, un substrat en nitrure de silicium est approprié en tant que substrat en céramique.
実施形態に係る接合体は、セラミックス基板と、銅板と、接合層と、を備える。接合層は、前記セラミックス基板の少なくとも一方の面に配置され、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する。前記接合層は、Ｔｉ反応層および複数の第１合金を含む。前記Ｔｉ反応層は、窒化チタンまたは酸化チタンを主成分として含有する。前記複数の第１合金は、前記Ｔｉ反応層と前記銅板との間に位置する。前記複数の第１合金のそれぞれは、Ｃｕ－Ｓｎ合金およびＣｕ－Ｉｎ合金から選択される１つ以上を含有する。前記複数の第１合金は、互いに異なるＳｎ濃度またはＩｎ濃度を有する。実施形態によれば、反り量を低減できる。また、接合工程の昇温速度および降温速度を速めることができる。実施形態では、セラミックス基板として窒化珪素基板が好適である。
BONDED BODY, CERAMIC CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
CORPS COLLÉ, SUBSTRAT DE CIRCUIT EN CÉRAMIQUE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
接合体、セラミックス回路基板、および半導体装置
SUENAGA SEIICHI (Autor:in) / YONETSU MAKI (Autor:in) / FUJISAWA SACHIKO (Autor:in) / MORI YOICHIRO (Autor:in)
14.04.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
BONDED BODY, CERAMIC CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2023
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2021
BONDED BODY, CERAMIC CIRCUIT BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED BODY
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2021