Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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BONDED BODY, CERAMIC CIRCUIT BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED BODY
Provided is a ceramic circuit board that is capable of suppressing a decrease in conductivity of a copper plate while maintaining bonding strength. A bonded body according to an embodiment comprises a ceramic substrate, a copper plate, and a bonding layer that bonds the ceramic substrate and the copper plate. The bonding layer contains Ag, Cu, an active metal, and a first element. The first element is one or two selected from Sn and In. As determined by SEM-EDX analysis of an arbitrary cross section, when a point at which a detection amount of Cu is not less than 80 mass% and at which a change in slope in a graph of the detection amount of Cu is the largest is assumed to be a first measurement point, a detection amount of the first element (mass%)/a detection amount of Ag (mass%) at the first measurement point is within the range of 0-0.4. The detection amount of the first element (mass%)/the detection amount of Ag (mass%) at the first measurement point is preferably within the range of 0.05-0.2.
L'invention concerne une carte de circuit imprimé en céramique qui est capable de supprimer une diminution de la conductivité d'une plaque de cuivre tout en maintenant la force de liaison. Un corps lié selon un mode de réalisation comprend un substrat en céramique, une plaque de cuivre et une couche de liaison qui lie le substrat en céramique et la plaque de cuivre. La couche de liaison contient de l'Ag, du Cu, un métal actif et un premier élément. Le premier élément est un ou deux éléments choisis parmi Sn et In. Tel que déterminé par analyse MEB-EDX d'une section transversale arbitraire, lorsqu'un point auquel une quantité de détection de Cu n'est pas inférieure à 80 % en masse et auquel un changement de pente dans un graphique de la quantité de détection de Cu est le plus grand est supposé être un premier point de mesure, une quantité de détection du premier élément (% en masse)/une quantité de détection d'Ag (% en masse) au premier point de mesure est dans la plage de 0 à 0,4. La quantité de détection du premier élément (% en masse)/la quantité de détection d'Ag (% en masse) au premier point de mesure est de préférence dans la plage de 0,05 à 0,2.
接合強度を維持した上で銅板の導電率低下を抑制できるセラミックス回路基板を提供する。実施形態に係る接合体は、セラミックス基板と、銅板と、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する接合層と、を備える。前記接合層は、Ａｇ、Ｃｕ、活性金属、及び第１元素を含有する。前記第１元素は、Ｓｎ及びＩｎから選択される１種または２種である。任意の断面をＳＥＭ－ＥＤＸによって分析した際、Ｃｕの検出量が８０質量％以上であり、かつ、Ｃｕの検出量のグラフにおける傾きの変化が最も大きい個所を第１測定点とすると、前記第１測定点で、前記第１元素の検出量（質量％）／Ａｇの検出量（質量％）が０以上０．４以下の範囲内である。前記第１測定点における第１元素の検出量（質量％）／Ａｇの検出量（質量％）は、０．０５以上０．２以下の範囲内であることが好ましい。
BONDED BODY, CERAMIC CIRCUIT BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED BODY
Provided is a ceramic circuit board that is capable of suppressing a decrease in conductivity of a copper plate while maintaining bonding strength. A bonded body according to an embodiment comprises a ceramic substrate, a copper plate, and a bonding layer that bonds the ceramic substrate and the copper plate. The bonding layer contains Ag, Cu, an active metal, and a first element. The first element is one or two selected from Sn and In. As determined by SEM-EDX analysis of an arbitrary cross section, when a point at which a detection amount of Cu is not less than 80 mass% and at which a change in slope in a graph of the detection amount of Cu is the largest is assumed to be a first measurement point, a detection amount of the first element (mass%)/a detection amount of Ag (mass%) at the first measurement point is within the range of 0-0.4. The detection amount of the first element (mass%)/the detection amount of Ag (mass%) at the first measurement point is preferably within the range of 0.05-0.2.
L'invention concerne une carte de circuit imprimé en céramique qui est capable de supprimer une diminution de la conductivité d'une plaque de cuivre tout en maintenant la force de liaison. Un corps lié selon un mode de réalisation comprend un substrat en céramique, une plaque de cuivre et une couche de liaison qui lie le substrat en céramique et la plaque de cuivre. La couche de liaison contient de l'Ag, du Cu, un métal actif et un premier élément. Le premier élément est un ou deux éléments choisis parmi Sn et In. Tel que déterminé par analyse MEB-EDX d'une section transversale arbitraire, lorsqu'un point auquel une quantité de détection de Cu n'est pas inférieure à 80 % en masse et auquel un changement de pente dans un graphique de la quantité de détection de Cu est le plus grand est supposé être un premier point de mesure, une quantité de détection du premier élément (% en masse)/une quantité de détection d'Ag (% en masse) au premier point de mesure est dans la plage de 0 à 0,4. La quantité de détection du premier élément (% en masse)/la quantité de détection d'Ag (% en masse) au premier point de mesure est de préférence dans la plage de 0,05 à 0,2.
接合強度を維持した上で銅板の導電率低下を抑制できるセラミックス回路基板を提供する。実施形態に係る接合体は、セラミックス基板と、銅板と、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する接合層と、を備える。前記接合層は、Ａｇ、Ｃｕ、活性金属、及び第１元素を含有する。前記第１元素は、Ｓｎ及びＩｎから選択される１種または２種である。任意の断面をＳＥＭ－ＥＤＸによって分析した際、Ｃｕの検出量が８０質量％以上であり、かつ、Ｃｕの検出量のグラフにおける傾きの変化が最も大きい個所を第１測定点とすると、前記第１測定点で、前記第１元素の検出量（質量％）／Ａｇの検出量（質量％）が０以上０．４以下の範囲内である。前記第１測定点における第１元素の検出量（質量％）／Ａｇの検出量（質量％）は、０．０５以上０．２以下の範囲内であることが好ましい。
BONDED BODY, CERAMIC CIRCUIT BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED BODY
CORPS LIÉ, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ EN CÉRAMIQUE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CORPS LIÉ
接合体、セラミックス回路基板、半導体装置、及び接合体の製造方法
FUJISAWA SACHIKO (Autor:in) / SUENAGA SEIICHI (Autor:in) / MORI YOICHIRO (Autor:in)
11.01.2024
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
/
B32B
LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
,
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
/
H05K
PRINTED CIRCUITS
,
Gedruckte Schaltungen
BONDED BODY, CIRCUIT BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED BODY
| Europäisches Patentamt | 2023
BONDED BODY, CIRCUIT BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED BODY
| Europäisches Patentamt | 2023
BRAZING MATERIAL, BONDED BODY, CERAMIC CIRCUIT BOARD, AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED BODY
| Europäisches Patentamt | 2022
BONDED BODY, CERAMIC-COPPER CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2023
Bonded body, ceramic copper circuit board, and semiconductor device
| Europäisches Patentamt | 2023