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COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic bonded body comprises a ceramic member and copper members respectively bonded to one surface of the ceramic member and the other surface of the ceramic member, in which an active metal diffused region in which the concentration of an active metal in the copper member is 0.5% by mass or more is formed on a ceramic member side of each of the copper members, each of the maximum reach distance L1 of an active metal diffused region formed on one surface side and the maximum reach distance L2 of an active material diffused region formed on the other surface side is adjusted to a value falling within the range of 20 μm to 80 μm inclusive, and the difference between the maximum reach distance L1 and the maximum reach distance L2 is 10 μm or less.
Ce corps lié en cuivre/céramique comprend un élément en céramique et des éléments en cuivre liés respectivement à une surface de l'élément en céramique et à l'autre surface de l'élément en céramique. Une région de diffusion de métal actif dans laquelle la concentration d'un métal actif dans l'élément de cuivre est de 0,5 % en masse ou plus est formée sur un côté d'élément céramique de chacun des éléments de cuivre, chacune de la distance maximale L1 d'une région diffusée de métal actif formée sur un côté de surface et la distance de portée maximale L2 d'une région diffusée de matériau actif formée sur l'autre côté de surface est réglée à une valeur comprise dans la plage de 20 µm à 80 µm inclus, et la différence entre la distance maximale de portée L1 et la distance maximale de portée L2 est de 10 µm ou moins.
この銅／セラミックス接合体は、セラミックス部材の一方の面および他方の面にそれぞれ銅部材が接合されており、銅部材のうちセラミックス部材側には、銅部材中の活性金属の濃度が０．５質量％以上である活性金属拡散領域が形成されており、一方の面側の活性金属拡散領域の最大到達距離Ｌ１、および、他方の面側の活性金属拡散領域の最大到達距離Ｌ２が２０μｍ以上８０μｍ以下の範囲内とされるとともに、最大到達距離Ｌ１と最大到達距離Ｌ２との差が１０μｍ以下である。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic bonded body comprises a ceramic member and copper members respectively bonded to one surface of the ceramic member and the other surface of the ceramic member, in which an active metal diffused region in which the concentration of an active metal in the copper member is 0.5% by mass or more is formed on a ceramic member side of each of the copper members, each of the maximum reach distance L1 of an active metal diffused region formed on one surface side and the maximum reach distance L2 of an active material diffused region formed on the other surface side is adjusted to a value falling within the range of 20 μm to 80 μm inclusive, and the difference between the maximum reach distance L1 and the maximum reach distance L2 is 10 μm or less.
Ce corps lié en cuivre/céramique comprend un élément en céramique et des éléments en cuivre liés respectivement à une surface de l'élément en céramique et à l'autre surface de l'élément en céramique. Une région de diffusion de métal actif dans laquelle la concentration d'un métal actif dans l'élément de cuivre est de 0,5 % en masse ou plus est formée sur un côté d'élément céramique de chacun des éléments de cuivre, chacune de la distance maximale L1 d'une région diffusée de métal actif formée sur un côté de surface et la distance de portée maximale L2 d'une région diffusée de matériau actif formée sur l'autre côté de surface est réglée à une valeur comprise dans la plage de 20 µm à 80 µm inclus, et la différence entre la distance maximale de portée L1 et la distance maximale de portée L2 est de 10 µm ou moins.
この銅／セラミックス接合体は、セラミックス部材の一方の面および他方の面にそれぞれ銅部材が接合されており、銅部材のうちセラミックス部材側には、銅部材中の活性金属の濃度が０．５質量％以上である活性金属拡散領域が形成されており、一方の面側の活性金属拡散領域の最大到達距離Ｌ１、および、他方の面側の活性金属拡散領域の最大到達距離Ｌ２が２０μｍ以上８０μｍ以下の範囲内とされるとともに、最大到達距離Ｌ１と最大到達距離Ｌ２との差が１０μｍ以下である。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY AND INSULATED CIRCUIT BOARD
CORPS LIÉ EN CUIVRE/CÉRAMIQUE ET CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
TERASAKI NOBUYUKI (Autor:in)
27.10.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Copper-ceramic bonded body and insulated circuit board
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