Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR FORMING CESIUM TUNGSTEN OXIDE FILM
[Problem] To provide a sputtering target of which the nCs/nW, which is the ratio of the number of atoms of Cs to the number of atoms of W in a cesium tungsten oxide film formed by a sputtering method, is set to a desired range (0.3-0.36) in which high transmissivity in a visible wavelength range and absorption properties in a near-infrared wavelength range can be exhibited. [Solution] This target contains Cs and W, and is characterized in that when the distance between the target and an object to be film-formed during film formation is defined as [T-S distance], the pressure of the atmosphere is defined as P, the number of atoms of W contained in the target is defined as nW, and the number of atoms of Cs is defined as nCs, nCs/nW (T), which is the ratio of the numbers of atoms of W and Cs in the target, satisfies (expression 1) for [T-S distance] and P. 0.09/{(-000161×[T-S distance]+0.00559)×P+0.346}≤nCs/nW (T)≤0.13/{(-000161×[T-S distance]+0.00559)×P+0.346} (Expression 1)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une cible de pulvérisation dont le rapport nCs/nW, qui est le rapport entre le nombre d'atomes de Cs et le nombre d'atomes de W dans un film d'oxyde de césium-tungstène formé par un procédé de pulvérisation, est défini dans une plage souhaitée (0,3-0,36) dans laquelle des propriétés de transmissivité élevée dans une plage de longueurs d'onde visibles et de grande absorption dans une plage de longueurs d'onde proche infrarouge peuvent être présentées. La solution selon l'invention porte sur une cible qui contient du Cs et du W, et est caractérisée en ce que, lorsque la distance entre la cible et un objet à former en film pendant la formation de film est définie comme [distance T-S], la pression de l'atmosphère est définie comme P, le nombre d'atomes de W contenus dans la cible est défini comme nW, et le nombre d'atomes de Cs est défini comme nCs, nCs/nW (T), qui est le rapport entre les nombres d'atomes de W et de Cs dans la cible, satisfait (Expression 1) pour [distance T-S] et P. 0,09/{(-000161×[distance T-S]+0,00559)×P+0,346} ≤ nCs/nW (T) ≤ 0,13/{(-000161×[distance T-S]+0,00559)×P+0,346} (Expression 1)
【課題】スパッタリング法で成膜されるセシウムタングステン酸化物膜のＷとＣｓの原子数の比を示すｎCs/ｎWが、可視波長域の高い透過性と近赤外波長域の吸収性を発揮できる所望範囲（0.3以上0.36以下）に設定されるスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】このターゲットは、ＣｓとＷを含み、成膜時のターゲットと被成膜体間の距離を［Ｔ－Ｓ距離］、雰囲気の圧力をＰ、ターゲットに含まれるＷの原子数をｎW、Ｃｓの原子数をｎCsとしたとき、ターゲットのＷとＣｓの原子数の比を示すｎCs/ｎW（Ｔ）が、［Ｔ－Ｓ距離］とＰに対して下記（式１）を満たすことを特徴とする。 0.09/｛（-000161×［Ｔ－Ｓ距離］＋0.00559）×Ｐ＋0.346｝ ≦ｎCs/ｎW（Ｔ）≦ 0.13/｛（-000161×［Ｔ－Ｓ距離］＋0.00559）×Ｐ＋0.346｝ （式１）
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR FORMING CESIUM TUNGSTEN OXIDE FILM
[Problem] To provide a sputtering target of which the nCs/nW, which is the ratio of the number of atoms of Cs to the number of atoms of W in a cesium tungsten oxide film formed by a sputtering method, is set to a desired range (0.3-0.36) in which high transmissivity in a visible wavelength range and absorption properties in a near-infrared wavelength range can be exhibited. [Solution] This target contains Cs and W, and is characterized in that when the distance between the target and an object to be film-formed during film formation is defined as [T-S distance], the pressure of the atmosphere is defined as P, the number of atoms of W contained in the target is defined as nW, and the number of atoms of Cs is defined as nCs, nCs/nW (T), which is the ratio of the numbers of atoms of W and Cs in the target, satisfies (expression 1) for [T-S distance] and P. 0.09/{(-000161×[T-S distance]+0.00559)×P+0.346}≤nCs/nW (T)≤0.13/{(-000161×[T-S distance]+0.00559)×P+0.346} (Expression 1)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une cible de pulvérisation dont le rapport nCs/nW, qui est le rapport entre le nombre d'atomes de Cs et le nombre d'atomes de W dans un film d'oxyde de césium-tungstène formé par un procédé de pulvérisation, est défini dans une plage souhaitée (0,3-0,36) dans laquelle des propriétés de transmissivité élevée dans une plage de longueurs d'onde visibles et de grande absorption dans une plage de longueurs d'onde proche infrarouge peuvent être présentées. La solution selon l'invention porte sur une cible qui contient du Cs et du W, et est caractérisée en ce que, lorsque la distance entre la cible et un objet à former en film pendant la formation de film est définie comme [distance T-S], la pression de l'atmosphère est définie comme P, le nombre d'atomes de W contenus dans la cible est défini comme nW, et le nombre d'atomes de Cs est défini comme nCs, nCs/nW (T), qui est le rapport entre les nombres d'atomes de W et de Cs dans la cible, satisfait (Expression 1) pour [distance T-S] et P. 0,09/{(-000161×[distance T-S]+0,00559)×P+0,346} ≤ nCs/nW (T) ≤ 0,13/{(-000161×[distance T-S]+0,00559)×P+0,346} (Expression 1)
【課題】スパッタリング法で成膜されるセシウムタングステン酸化物膜のＷとＣｓの原子数の比を示すｎCs/ｎWが、可視波長域の高い透過性と近赤外波長域の吸収性を発揮できる所望範囲（0.3以上0.36以下）に設定されるスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】このターゲットは、ＣｓとＷを含み、成膜時のターゲットと被成膜体間の距離を［Ｔ－Ｓ距離］、雰囲気の圧力をＰ、ターゲットに含まれるＷの原子数をｎW、Ｃｓの原子数をｎCsとしたとき、ターゲットのＷとＣｓの原子数の比を示すｎCs/ｎW（Ｔ）が、［Ｔ－Ｓ距離］とＰに対して下記（式１）を満たすことを特徴とする。 0.09/｛（-000161×［Ｔ－Ｓ距離］＋0.00559）×Ｐ＋0.346｝ ≦ｎCs/ｎW（Ｔ）≦ 0.13/｛（-000161×［Ｔ－Ｓ距離］＋0.00559）×Ｐ＋0.346｝ （式１）
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR FORMING CESIUM TUNGSTEN OXIDE FILM
CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM D'OXYDE DE CÉSIUM-TUNGSTÈNE
スパッタリングターゲットとセシウムタングステン酸化物膜の成膜方法
OKAMI HIDEHARU (Autor:in)
01.12.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR FORMING CESIUM TUNGSTEN OXIDE FILM
| Europäisches Patentamt | 2024
METHOD OF PRODUCING CESIUM TUNGSTEN OXIDE SINTERED BODY AND CESIUM TUNGSTEN OXIDE TARGET
| Europäisches Patentamt | 2020