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SPUTTERING TARGET MATERIAL AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR
A sputtering target material according to the present invention is composed of oxides containing indium (In), zinc (Zn), and tantalum (Ta) such that the atomic ratios of the respective elements satisfy all of formulae (1) to (3). (1) 0.1≤(In+Ta)/(In+Zn+Ta)<0.4 (2) 0.6<0.014 The sputtering target material has relative density is 90% or greater, and is used to produce an oxide semiconductor having the same composition.
La présente invention concerne un matériau cible de pulvérisation cathodique, composé d'oxydes contenant de l'indium (In), du zinc (Zn) et du tantale (Ta), de façon que les rapports en atomes des éléments respectifs satisfassent à toutes les formules (1) à (3). (1) 0,1 ≤ (In+Ta)/(In+Zn+Ta)< 0,4 (2) 0,6 < Zn/(In+Zn+Ta) ≤ 0,9 (3) 0,001 ≤ Ta/(In+Zn+Ta) < 0,014. Le matériau cible de la pulvérisation cathodique a une densité relative de 90 % ou plus et est utilisé pour produire un oxyde semiconducteur ayant la même composition.
本発明のスパッタリングターゲット材は、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素及びタンタル（Ｔａ）元素を含む酸化物から構成され、 各元素の原子比が式（１）ないし（３）の全てを満たし、 ０．１≦（Ｉｎ＋Ｔａ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｔａ）＜０．４ （１） ０．６＜Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｔａ）≦０．９ （２） ０．００１≦Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｔａ）＜０．０１４ （３） 相対密度が９５％以上であり、該スパッタリングターゲット材を用いて同組成の酸化物半導体を製造する。
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR
A sputtering target material according to the present invention is composed of oxides containing indium (In), zinc (Zn), and tantalum (Ta) such that the atomic ratios of the respective elements satisfy all of formulae (1) to (3). (1) 0.1≤(In+Ta)/(In+Zn+Ta)<0.4 (2) 0.6<0.014 The sputtering target material has relative density is 90% or greater, and is used to produce an oxide semiconductor having the same composition.
La présente invention concerne un matériau cible de pulvérisation cathodique, composé d'oxydes contenant de l'indium (In), du zinc (Zn) et du tantale (Ta), de façon que les rapports en atomes des éléments respectifs satisfassent à toutes les formules (1) à (3). (1) 0,1 ≤ (In+Ta)/(In+Zn+Ta)< 0,4 (2) 0,6 < Zn/(In+Zn+Ta) ≤ 0,9 (3) 0,001 ≤ Ta/(In+Zn+Ta) < 0,014. Le matériau cible de la pulvérisation cathodique a une densité relative de 90 % ou plus et est utilisé pour produire un oxyde semiconducteur ayant la même composition.
本発明のスパッタリングターゲット材は、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素及びタンタル（Ｔａ）元素を含む酸化物から構成され、 各元素の原子比が式（１）ないし（３）の全てを満たし、 ０．１≦（Ｉｎ＋Ｔａ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｔａ）＜０．４ （１） ０．６＜Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｔａ）≦０．９ （２） ０．００１≦Ｔａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｔａ）＜０．０１４ （３） 相対密度が９５％以上であり、該スパッタリングターゲット材を用いて同組成の酸化物半導体を製造する。
SPUTTERING TARGET MATERIAL AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SEMICONDUCTOR
MATÉRIAU CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN OXYDE SEMICONDUCTEUR
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体の製造方法
TERAMURA KYOSUKE (Autor:in) / SHIRANITA RYO (Autor:in) / TOKUCHI SHIGEKI (Autor:in)
03.08.2023
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| Europäisches Patentamt | 2021
OXIDE SPUTTERING TARGET AND OXIDE SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| Europäisches Patentamt | 2021
Sputtering target material and method for producing oxide semiconductor
| Europäisches Patentamt | 2024
OXIDE SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2021