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SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
The present invention provides easily sinterable crystalline silicon nitride powder capable of obtaining a silicon nitride sintered body excellent in sintered body characteristics such as high-temperature strength. The present invention also provides crystalline silicon nitride powder enabling the production of a silicon nitride sintered body excellent in thermal conductivity while also having sufficient mechanical strength. The present invention further provides a method for producing a silicon nitride sintered body having both high bending strength and excellent thermal conductivity. This crystalline silicon nitride powder is characterized in that the specific surface area (SA) measured by a BET method is 3 m2/g-16 m2/g, the surface oxygen amount (FSO) measured by morphology analysis under increasing temperature is 0.2 mass%-0.6 mass%, the internal oxygen amount (FIO) measured by morphology analysis under increasing temperature is 0.4 mass%-1.3 mass%, and the ratio (FSO/SA) of the surface oxygen amount to the BET specific surface area is 0.25 mg/m2 or more and less than 0.50 mg/m2.
La présente invention concerne une poudre de nitrure de silicium cristalline facilement frittable capable d'obtenir un corps fritté de nitrure de silicium présentant d'excellentes caractéristiques de corps fritté telles qu'une résistance à haute température. La présente invention concerne également une poudre de nitrure de silicium cristalline permettant la production d'un corps fritté de nitrure de silicium présentant une excellente conductivité thermique tout en ayant également une résistance mécanique suffisante. La présente invention concerne en outre une méthode de production d'un corps fritté de nitrure de silicium ayant à la fois une résistance à la flexion élevée et une excellente conductivité thermique. Cette poudre de nitrure de silicium cristalline est caractérisée en ce que la surface spécifique (SA) mesurée par une méthode BET est de 3 m2/g à 16 m2/g, la quantité d'oxygène de surface (FSO) mesurée par analyse de morphologie à une température croissante est de 0,2 % en masse à 0,6 % en masse, la quantité d'oxygène interne (FIO) mesurée par analyse de morphologie à une température croissante est de 0,4 % en masse à 1,3 % en masse, et le rapport (FSO/SA) de la quantité d'oxygène de surface à la surface spécifique BET est supérieur ou égal à 0,25 mg/m2 et inférieur à 0,50 mg/m2.
本発明は、易焼結性で高温強度等の焼結体特性に優れた窒化ケイ素質焼結体を得ることができる結晶質窒化ケイ素粉末を提供する。また、十分な機械的強度を有すると共に、熱伝導性に優れた窒化ケイ素質焼結体の製造を可能にする結晶質窒化ケイ素粉末を提供する。さらに、本発明は、高い曲げ強度と優れた熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素質焼結体の製造方法を提供する。 ＢＥＴ法による比表面積（ＳＡ）が３ｍ２／ｇ以上１６ｍ２／ｇ以下であり、昇温形態分析により測定された表面酸素量（ＦＳＯ）が０．２質量％以上０．６質量％以下、昇温形態分析により測定された内部酸素量（ＦＩＯ）が０．４質量％以上１．３質量％以下であり、ＢＥＴ比表面積に対する前記表面酸素量の比（ＦＳＯ／ＳＡ）が０．２５ｍｇ／ｍ２以上０．５０ｍｇ／ｍ２未満であることを特徴とする結晶質窒化ケイ素粉末。
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
The present invention provides easily sinterable crystalline silicon nitride powder capable of obtaining a silicon nitride sintered body excellent in sintered body characteristics such as high-temperature strength. The present invention also provides crystalline silicon nitride powder enabling the production of a silicon nitride sintered body excellent in thermal conductivity while also having sufficient mechanical strength. The present invention further provides a method for producing a silicon nitride sintered body having both high bending strength and excellent thermal conductivity. This crystalline silicon nitride powder is characterized in that the specific surface area (SA) measured by a BET method is 3 m2/g-16 m2/g, the surface oxygen amount (FSO) measured by morphology analysis under increasing temperature is 0.2 mass%-0.6 mass%, the internal oxygen amount (FIO) measured by morphology analysis under increasing temperature is 0.4 mass%-1.3 mass%, and the ratio (FSO/SA) of the surface oxygen amount to the BET specific surface area is 0.25 mg/m2 or more and less than 0.50 mg/m2.
La présente invention concerne une poudre de nitrure de silicium cristalline facilement frittable capable d'obtenir un corps fritté de nitrure de silicium présentant d'excellentes caractéristiques de corps fritté telles qu'une résistance à haute température. La présente invention concerne également une poudre de nitrure de silicium cristalline permettant la production d'un corps fritté de nitrure de silicium présentant une excellente conductivité thermique tout en ayant également une résistance mécanique suffisante. La présente invention concerne en outre une méthode de production d'un corps fritté de nitrure de silicium ayant à la fois une résistance à la flexion élevée et une excellente conductivité thermique. Cette poudre de nitrure de silicium cristalline est caractérisée en ce que la surface spécifique (SA) mesurée par une méthode BET est de 3 m2/g à 16 m2/g, la quantité d'oxygène de surface (FSO) mesurée par analyse de morphologie à une température croissante est de 0,2 % en masse à 0,6 % en masse, la quantité d'oxygène interne (FIO) mesurée par analyse de morphologie à une température croissante est de 0,4 % en masse à 1,3 % en masse, et le rapport (FSO/SA) de la quantité d'oxygène de surface à la surface spécifique BET est supérieur ou égal à 0,25 mg/m2 et inférieur à 0,50 mg/m2.
本発明は、易焼結性で高温強度等の焼結体特性に優れた窒化ケイ素質焼結体を得ることができる結晶質窒化ケイ素粉末を提供する。また、十分な機械的強度を有すると共に、熱伝導性に優れた窒化ケイ素質焼結体の製造を可能にする結晶質窒化ケイ素粉末を提供する。さらに、本発明は、高い曲げ強度と優れた熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素質焼結体の製造方法を提供する。 ＢＥＴ法による比表面積（ＳＡ）が３ｍ２／ｇ以上１６ｍ２／ｇ以下であり、昇温形態分析により測定された表面酸素量（ＦＳＯ）が０．２質量％以上０．６質量％以下、昇温形態分析により測定された内部酸素量（ＦＩＯ）が０．４質量％以上１．３質量％以下であり、ＢＥＴ比表面積に対する前記表面酸素量の比（ＦＳＯ／ＳＡ）が０．２５ｍｇ／ｍ２以上０．５０ｍｇ／ｍ２未満であることを特徴とする結晶質窒化ケイ素粉末。
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
POUDRE DE NITRURE DE SILICIUM ET MÉTHODE POUR PRODUIRE UN CORPS FRITTÉ DE NITRURE DE SILICIUM
窒化ケイ素粉末、および窒化ケイ素質焼結体の製造方法
OHMARU TAKUJI (Autor:in) / SHIBATA KOJI (Autor:in) / FUJII TAKAYUKI (Autor:in) / YAMADA TETSUO (Autor:in)
21.09.2023
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2021
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