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SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Embodiments of the present disclosure disclose a semiconductor structure and a manufacturing method therefor. The semiconductor structure comprises a substrate, a dielectric layer, a first gate structure, and a second gate structure. The substrate comprises a discrete semiconductor channel, and the semiconductor channel is arranged at the top of the substrate and extends in a vertical direction. The first gate structure is arranged in a first region of the semiconductor channel and surrounds the semiconductor channel. The second gate structure is arranged in a second region of the semiconductor channel, and comprises a ring structure and at least one bridge structure; the ring structure surrounds the semiconductor channel; and the at least one bridge structure penetrates through the semiconductor channel and extends to the inner wall of the ring structure in the direction of penetration. The dielectric layer is located between the first gate structure and the semiconductor channel, and between the second gate structure and the semiconductor channel.
Conformément à des modes de réalisation, la présente invention concerne une structure semi-conductrice et son procédé de fabrication. La structure semi-conductrice comprend un substrat, une couche diélectrique, une première structure de grille et une seconde structure de grille. Le substrat comprend un canal semi-conducteur discret, et le canal semi-conducteur est agencé au sommet du substrat et s'étend dans un sens vertical. La première structure de grille est agencée dans une première région du canal semi-conducteur et entoure le canal semi-conducteur. La seconde structure de grille est agencée dans une seconde région du canal semi-conducteur, et comprend une structure annulaire et au moins une structure de pont ; la structure annulaire entoure le canal semi-conducteur ; et l'au moins une structure de pont pénètre à travers le canal semi-conducteur et s'étend jusqu'à la paroi interne de la structure annulaire dans le sens de la pénétration. La couche diélectrique est située entre la première structure de grille et le canal semi-conducteur, et entre la seconde structure de grille et le canal semi-conducteur.
本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底、介质层、第一栅极结构和第二栅极结构。基底包括分立的半导体通道，半导体通道设置于基底的顶部且沿竖直方向延伸。第一栅极结构设置于半导体通道的第一区域且环绕半导体通道。第二栅极结构设置于半导体通道的第二区域，包括环结构和至少一个桥结构；环结构环绕半导体通道，至少一个桥结构贯穿半导体通道，且沿贯穿方向延伸至环结构的内壁。介质层位于第一栅极结构和半导体通道之间，以及第二栅极结构和半导体通道之间。
SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Embodiments of the present disclosure disclose a semiconductor structure and a manufacturing method therefor. The semiconductor structure comprises a substrate, a dielectric layer, a first gate structure, and a second gate structure. The substrate comprises a discrete semiconductor channel, and the semiconductor channel is arranged at the top of the substrate and extends in a vertical direction. The first gate structure is arranged in a first region of the semiconductor channel and surrounds the semiconductor channel. The second gate structure is arranged in a second region of the semiconductor channel, and comprises a ring structure and at least one bridge structure; the ring structure surrounds the semiconductor channel; and the at least one bridge structure penetrates through the semiconductor channel and extends to the inner wall of the ring structure in the direction of penetration. The dielectric layer is located between the first gate structure and the semiconductor channel, and between the second gate structure and the semiconductor channel.
Conformément à des modes de réalisation, la présente invention concerne une structure semi-conductrice et son procédé de fabrication. La structure semi-conductrice comprend un substrat, une couche diélectrique, une première structure de grille et une seconde structure de grille. Le substrat comprend un canal semi-conducteur discret, et le canal semi-conducteur est agencé au sommet du substrat et s'étend dans un sens vertical. La première structure de grille est agencée dans une première région du canal semi-conducteur et entoure le canal semi-conducteur. La seconde structure de grille est agencée dans une seconde région du canal semi-conducteur, et comprend une structure annulaire et au moins une structure de pont ; la structure annulaire entoure le canal semi-conducteur ; et l'au moins une structure de pont pénètre à travers le canal semi-conducteur et s'étend jusqu'à la paroi interne de la structure annulaire dans le sens de la pénétration. La couche diélectrique est située entre la première structure de grille et le canal semi-conducteur, et entre la seconde structure de grille et le canal semi-conducteur.
本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底、介质层、第一栅极结构和第二栅极结构。基底包括分立的半导体通道，半导体通道设置于基底的顶部且沿竖直方向延伸。第一栅极结构设置于半导体通道的第一区域且环绕半导体通道。第二栅极结构设置于半导体通道的第二区域，包括环结构和至少一个桥结构；环结构环绕半导体通道，至少一个桥结构贯穿半导体通道，且沿贯穿方向延伸至环结构的内壁。介质层位于第一栅极结构和半导体通道之间，以及第二栅极结构和半导体通道之间。
SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
一种半导体结构及其制造方法
JANG SEMYEONG (Autor:in) / MOON JOONSUK (Autor:in) / XIAO DEYUAN (Autor:in) / HONG MINKI (Autor:in) / LEE KYONGTAEK (Autor:in) / CHIN JO-LAN (Autor:in)
14.12.2023
Patent
Elektronische Ressource
Chinesisch
SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FORMATION METHOD THEREFOR
| Europäisches Patentamt | 2025
HONEYCOMB STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
| Europäisches Patentamt | 2016
SOUNDPROOF STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
| Europäisches Patentamt | 2016