Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Disclosed are a semiconductor structure and a formation method therefor. The semiconductor structure comprises a substrate, word line structures, a plurality of active column structures, and isolation structures. A plurality of word line structures are located on the substrate and are arranged at intervals in a first direction. Each word line structure comprises a plurality of gate structures sequentially arranged at intervals in a third direction. The active column structures are disposed on outer walls of the gate structures. At least one end of each active column structure in a second direction is provided with a trench having an opening facing the second direction, a portion of the active column structure surrounding the gate structure forms a channel structure, and a portion of the active column structure located on two sides of the channel structure in the second direction and disposed adjacent to the trench form a source/drain. The isolation structures are located in the trenches and on inner walls adjacent to the gate structures.
Une structure semi-conductrice et son procédé de formation sont divulgués. La structure semi-conductrice comprend un substrat, des structures de ligne de mots, une pluralité de structures de colonne active et des structures d'isolation. Une pluralité de structures de ligne de mots sont situées sur le substrat et sont agencées à intervalles dans une première direction. Chaque structure de ligne de mots comprend une pluralité de structures de grille agencées séquentiellement à intervalles dans une troisième direction. Les structures de colonne active sont placées sur des parois externes des structures de grille. Au moins une extrémité de chaque structure de colonne active dans une deuxième direction est dotée d'une tranchée ayant une ouverture faisant face à la deuxième direction, une partie de la structure de colonne active entourant la structure de grille forme une structure de canal, et une partie de la structure de colonne active située sur deux côtés de la structure de canal dans la deuxième direction et placée à côté de la tranchée forme une source/un drain. Les structures d'isolation sont situées dans les tranchées et sur des parois internes adjacentes aux structures de grille.
公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、字线结构、多个有源柱结构和隔离结构。多个字线结构位于衬底上且沿第一方向间隔排布。每个字线结构包括沿第三方向依次间隔设置的多个栅极结构。有源柱结构设置于栅极结构的外壁。有源柱结构沿第二方向的至少一端具有开口朝向第二方向的沟槽，环绕栅极结构的部分有源柱结构构成沟道结构，位于沟道结构沿第二方向两侧且邻接沟槽的部分有源柱结构构成源漏极。隔离结构位于沟槽中邻近栅极结构的内壁。
Disclosed are a semiconductor structure and a formation method therefor. The semiconductor structure comprises a substrate, word line structures, a plurality of active column structures, and isolation structures. A plurality of word line structures are located on the substrate and are arranged at intervals in a first direction. Each word line structure comprises a plurality of gate structures sequentially arranged at intervals in a third direction. The active column structures are disposed on outer walls of the gate structures. At least one end of each active column structure in a second direction is provided with a trench having an opening facing the second direction, a portion of the active column structure surrounding the gate structure forms a channel structure, and a portion of the active column structure located on two sides of the channel structure in the second direction and disposed adjacent to the trench form a source/drain. The isolation structures are located in the trenches and on inner walls adjacent to the gate structures.
Une structure semi-conductrice et son procédé de formation sont divulgués. La structure semi-conductrice comprend un substrat, des structures de ligne de mots, une pluralité de structures de colonne active et des structures d'isolation. Une pluralité de structures de ligne de mots sont situées sur le substrat et sont agencées à intervalles dans une première direction. Chaque structure de ligne de mots comprend une pluralité de structures de grille agencées séquentiellement à intervalles dans une troisième direction. Les structures de colonne active sont placées sur des parois externes des structures de grille. Au moins une extrémité de chaque structure de colonne active dans une deuxième direction est dotée d'une tranchée ayant une ouverture faisant face à la deuxième direction, une partie de la structure de colonne active entourant la structure de grille forme une structure de canal, et une partie de la structure de colonne active située sur deux côtés de la structure de canal dans la deuxième direction et placée à côté de la tranchée forme une source/un drain. Les structures d'isolation sont situées dans les tranchées et sur des parois internes adjacentes aux structures de grille.
公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、字线结构、多个有源柱结构和隔离结构。多个字线结构位于衬底上且沿第一方向间隔排布。每个字线结构包括沿第三方向依次间隔设置的多个栅极结构。有源柱结构设置于栅极结构的外壁。有源柱结构沿第二方向的至少一端具有开口朝向第二方向的沟槽，环绕栅极结构的部分有源柱结构构成沟道结构，位于沟道结构沿第二方向两侧且邻接沟槽的部分有源柱结构构成源漏极。隔离结构位于沟槽中邻近栅极结构的内壁。
SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FORMATION METHOD THEREFOR
STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
半导体结构及其形成方法
TANG YI (Autor:in)
06.02.2025
Patent
Elektronische Ressource
Chinesisch
IPC:
H10B
SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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FORM STRUCTURE FOR SLIT FORMATION AND REINFORCEMENT HARDWARE THEREFOR
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JOINT STRUCTURE OF ROAD BRIDGE PCa FLOOR SLABS AND FORMATION METHOD THEREFOR
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