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WAFER MADE OF SINTERED SILICON NITRIDE AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL USING SAME
The flat wafer made of sintered silicon nitride is characterized in that at least one surface thereof has an average value of the average length RSm of a plurality of roughness curve elements, having a plurality of line segments passing through the center of that surface as the reference length, within the range from 100 μm to 350 μm. Also, each of the average length RSm of the plurality of roughness curve elements is preferably within the range from 10 μm to 800 μm. Also, the average value of the maximum valley depth Rv of a plurality of roughness curves, having a plurality of line segments passing through the center of the surface as the reference length, is preferably within the range from 0.04 μm to 0.4 μm.
L'invention concerne une tranche plate constituée de nitrure de silicium fritté, caractérisée en ce qu'au moins une surface correspondante présente une valeur moyenne du RSm de longueur moyenne d'une pluralité d'éléments de courbe de rugosité, présentant une pluralité de segments de ligne passant à travers le centre de cette surface en tant que longueur de référence, située dans la plage de 100 µm à 350 µm. De plus, chaque RSm de longueur moyenne parmi la pluralité d'éléments de courbe de rugosité est de préférence situé dans la plage de 10 µm à 800 µm. De même, la valeur moyenne de la profondeur de vallée maximale Rv d'une pluralité de courbes de rugosité, présentant une pluralité de segments de ligne passant à travers le centre de la surface en tant que longueur de référence, est de préférence située dans la plage de 0,04 µm à 0,4 µm.
平板状の窒化珪素焼結体製ウエハは、少なくとも一方の面は、その面の中心を通る複数の線分を基準長さとする複数の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍの平均値が１００μｍ以上３５０μｍ以下の範囲内であることを特徴とする。また、複数の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍのそれぞれが、１０μｍ以上８００μｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、面の中心を通る複数の線分を基準長さとする複数の粗さ曲線の最大谷深さＲｖの平均値が、０．０４μｍ以上０．４μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
WAFER MADE OF SINTERED SILICON NITRIDE AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL USING SAME
The flat wafer made of sintered silicon nitride is characterized in that at least one surface thereof has an average value of the average length RSm of a plurality of roughness curve elements, having a plurality of line segments passing through the center of that surface as the reference length, within the range from 100 μm to 350 μm. Also, each of the average length RSm of the plurality of roughness curve elements is preferably within the range from 10 μm to 800 μm. Also, the average value of the maximum valley depth Rv of a plurality of roughness curves, having a plurality of line segments passing through the center of the surface as the reference length, is preferably within the range from 0.04 μm to 0.4 μm.
L'invention concerne une tranche plate constituée de nitrure de silicium fritté, caractérisée en ce qu'au moins une surface correspondante présente une valeur moyenne du RSm de longueur moyenne d'une pluralité d'éléments de courbe de rugosité, présentant une pluralité de segments de ligne passant à travers le centre de cette surface en tant que longueur de référence, située dans la plage de 100 µm à 350 µm. De plus, chaque RSm de longueur moyenne parmi la pluralité d'éléments de courbe de rugosité est de préférence situé dans la plage de 10 µm à 800 µm. De même, la valeur moyenne de la profondeur de vallée maximale Rv d'une pluralité de courbes de rugosité, présentant une pluralité de segments de ligne passant à travers le centre de la surface en tant que longueur de référence, est de préférence située dans la plage de 0,04 µm à 0,4 µm.
平板状の窒化珪素焼結体製ウエハは、少なくとも一方の面は、その面の中心を通る複数の線分を基準長さとする複数の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍの平均値が１００μｍ以上３５０μｍ以下の範囲内であることを特徴とする。また、複数の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍのそれぞれが、１０μｍ以上８００μｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、面の中心を通る複数の線分を基準長さとする複数の粗さ曲線の最大谷深さＲｖの平均値が、０．０４μｍ以上０．４μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
WAFER MADE OF SINTERED SILICON NITRIDE AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL USING SAME
TRANCHE CONSTITUÉE DE NITRURE DE SILICIUM FRITTÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL L'UTILISANT
窒化珪素焼結体製ウエハおよびそれを用いた単結晶体の製造方法
KANAHARA KEITA (Autor:in) / SASAKI AKITO (Autor:in) / IWAI KENTARO (Autor:in)
21.03.2024
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
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Sintered silicon nitride and method for producing sintered silicon nitride
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SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
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