Side‐Gated In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Nanowire Ferroelectric FETs for High‐Performance Nonvolatile Memory Applications: Fid-Bau Portal

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Side‐Gated In₂O₃ Nanowire Ferroelectric FETs for High‐Performance Nonvolatile Memory Applications

Su, Meng / Yang, Zhenyu / Liao, Lei / Zou, Xuming / Ho, Johnny C. / Wang, Jingli / Wang, Jianlu / Hu, Weida / Xiao, Xiangheng / Jiang, Changzhong / ... [mehr]

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Titel:

Side‐Gated In₂O₃ Nanowire Ferroelectric FETs for High‐Performance Nonvolatile Memory Applications

Beteiligte:

Su, Meng (Autor:in) / Yang, Zhenyu (Autor:in) / Liao, Lei (Autor:in) / Zou, Xuming (Autor:in) / Ho, Johnny C. (Autor:in) / Wang, Jingli (Autor:in) / Wang, Jianlu (Autor:in) / Hu, Weida (Autor:in) / Xiao, Xiangheng (Autor:in) / Jiang, Changzhong (Autor:in)

Erschienen in:

Advanced Science ; 3

Erscheinungsdatum:

01.09.2016

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

DOI:

https://doi.org/10.1002/advs.201600078

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Elektronische Ressource

Sprache:

Englisch

Schlagwörter:

ferroelectric memory , P(VDF‐TrFE) , side‐gated , field‐effect transistors , In2O3 nanowires

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