A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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Verfahren zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten sowie nach diesem Verfahren hergestelltes Metall-Keramik-Substrat
Verfahren zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten (1), bei dem wenigstens ein Keramiksubstrat (2) mit einer oxidierten Metallfolie durch Direct-Bonden verbunden wird, und zwar durch Erhitzen unter Schutzgas auf eine Prozess- oder Bondingtemperatur, die unterhalb des Schmelzpunktes des Metalls der Metallfolie (3, 4) liegt, aber wenigstens gleich der Schmelztemperatur des von der Oxidschicht und dem Metall gebildeten Eutektikums ist, wobei das wenigstens eine Keramiksubstrat (2) und die mit diesem zu verbindende wenigstens eine Metallfolie (3, 4) während des Verfahrens in einem von einem Innenraum einer Kapsel (7, 7a - 7c) gebildeten Reaktionsraum untergebracht sind, wobei während des Direct-Bondens eine im Inneren des Reaktionsraumes gebildete innere Schutzgasatmosphäre von einer die Kapsel (7, 7a-7c) umgebenden äußeren Schutzgasatmosphäre getrennt oder über einen ersten Öffnungsquerschnitt mit der äußeren Schutzgasatmosphäre in Verbindung steht, wobei der erste Öffnungsquerschnitt so gewählt ist, dass eine Kapselung des Reaktionsraumes, die (Kapselung) als prozentualer Anteil des geschlossenen Teils einer den Reaktionsraum umschließenden Gesamtfläche bezogen auf diese Gesamtfläche definiert ist, größer als 60% ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Reaktionsraum der Kapsel (7, 7a -7c) während einer dem Direct-Bonden vorausgehenden Vorbehandlungsphase, mit der äußeren Schutzgasatmosphäre über einen von wenigstens einer Spülöffnung (11, 12, 14) gebildeten zweiten Öffnungsquerschnitt in Verbindung steht, der größer ist als der die Kapselung bestimmende Öffnungsquerschnitt.
The invention relates to a method for producing metal-ceramic substrates, wherein at least one ceramic substrate, for example at least one plate-shaped ceramic substrate, is connected to an oxidized metal film by direct bonding, specifically by heating under protective gas to a process or bonding temperature that is below the melting temperature of the metal of the metal film but is at least equal to the melting temperature of the eutectic formed by the oxide layer and the metal, wherein the at least one ceramic substrate and the at least one metal film to be connected thereto are accommodated in a reaction chamber formed by an interior of a saggar during the method.
Verfahren zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten sowie nach diesem Verfahren hergestelltes Metall-Keramik-Substrat
Verfahren zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten (1), bei dem wenigstens ein Keramiksubstrat (2) mit einer oxidierten Metallfolie durch Direct-Bonden verbunden wird, und zwar durch Erhitzen unter Schutzgas auf eine Prozess- oder Bondingtemperatur, die unterhalb des Schmelzpunktes des Metalls der Metallfolie (3, 4) liegt, aber wenigstens gleich der Schmelztemperatur des von der Oxidschicht und dem Metall gebildeten Eutektikums ist, wobei das wenigstens eine Keramiksubstrat (2) und die mit diesem zu verbindende wenigstens eine Metallfolie (3, 4) während des Verfahrens in einem von einem Innenraum einer Kapsel (7, 7a - 7c) gebildeten Reaktionsraum untergebracht sind, wobei während des Direct-Bondens eine im Inneren des Reaktionsraumes gebildete innere Schutzgasatmosphäre von einer die Kapsel (7, 7a-7c) umgebenden äußeren Schutzgasatmosphäre getrennt oder über einen ersten Öffnungsquerschnitt mit der äußeren Schutzgasatmosphäre in Verbindung steht, wobei der erste Öffnungsquerschnitt so gewählt ist, dass eine Kapselung des Reaktionsraumes, die (Kapselung) als prozentualer Anteil des geschlossenen Teils einer den Reaktionsraum umschließenden Gesamtfläche bezogen auf diese Gesamtfläche definiert ist, größer als 60% ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Reaktionsraum der Kapsel (7, 7a -7c) während einer dem Direct-Bonden vorausgehenden Vorbehandlungsphase, mit der äußeren Schutzgasatmosphäre über einen von wenigstens einer Spülöffnung (11, 12, 14) gebildeten zweiten Öffnungsquerschnitt in Verbindung steht, der größer ist als der die Kapselung bestimmende Öffnungsquerschnitt.
The invention relates to a method for producing metal-ceramic substrates, wherein at least one ceramic substrate, for example at least one plate-shaped ceramic substrate, is connected to an oxidized metal film by direct bonding, specifically by heating under protective gas to a process or bonding temperature that is below the melting temperature of the metal of the metal film but is at least equal to the melting temperature of the eutectic formed by the oxide layer and the metal, wherein the at least one ceramic substrate and the at least one metal film to be connected thereto are accommodated in a reaction chamber formed by an interior of a saggar during the method.
Verfahren zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten sowie nach diesem Verfahren hergestelltes Metall-Keramik-Substrat
SCHULZ-HARDER JÜRGEN DR -ING (author)
2022-03-03
Patent
Electronic Resource
German
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Verfahren zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten sowie Metall-Keramik-Substrat
| European Patent Office | 2015
Metall-Keramik-Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates
| European Patent Office | 2017
Metall-Keramik-Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates
| European Patent Office | 2017
Metall-Keramik-Substrat und Verfahren zur Herstellung von Metall-Keramik-Substraten
| European Patent Office | 2024
METALL-KERAMIK-SUBSTRAT SOWIE VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DERARTIGEN METALL-KERAMIK-SUBSTRATES
| European Patent Office | 2019