A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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PIEZOELEKTRISCHES KERAMIK-SPUTTERTARGET, BLEIFREIER PIEZOELEKTRISCHER DÜNNFILM UND PIEZOELEKTRISCHES DÜNNFILMELEMENT UNTER VERWENDUNG DESSELBEN
Ein piezoelektrisches keramisches Sputtertarget, enthaltend ein Perovskit-Typ-Oxid, dargestellt durch die chemische Formel (I) von ABO3 als Hauptkomponente, wobei die Komponente A der chemischen Formel (I) wenigstens K (Kalium) und/oder Na (Natrium) enthält, die Komponente B der chemischen Formel (I) wenigstens eines aus der Gruppe bestehend aus Nb (Niob), Ta (Tantal) und Zr (Zirkonium) enthält, mit Nb (Niob) als einer Notwendigkeit, wobei das piezoelektrische keramische Sputtertarget zusammengesetzt ist aus einer Vielzahl von Kristallkörnern und Korngrenzen, die zwischen den Kristallkörnern vorhanden sind, und in der Korngrenze das Molverhältnis von Nb (Niob) und/oder Ta (Tantal) und/oder Zr (Zirkonium) in den B-Komponenten um 30% oder mehr höher ist als das Molverhältnis im Inneren der Kristallkörner.
A piezoelectric ceramic sputtering target containing a perovskite type oxide represented by chemical formula (I) of ABO3 as a main component, wherein the component A of the chemical formula (I) contains at least K (potassium) and/or Na (sodium), the component B of the chemical formula (I) contains at least one selected from the group consisting of Nb (niobium), Ta (tantalum) and Zr (zirconium) with Nb (niobium) as a necessity, the piezoelectric ceramic sputtering target is composed of a plurality of crystal grains and grain boundaries existing among the crystal grains, and in the grain boundary, the molar ratio of at least one of Nb (niobium), Ta (tantalum), and Zr (zirconium) in the B components is higher than the molar ratio in the interior of the crystal grains by 30% or more.
PIEZOELEKTRISCHES KERAMIK-SPUTTERTARGET, BLEIFREIER PIEZOELEKTRISCHER DÜNNFILM UND PIEZOELEKTRISCHES DÜNNFILMELEMENT UNTER VERWENDUNG DESSELBEN
Ein piezoelektrisches keramisches Sputtertarget, enthaltend ein Perovskit-Typ-Oxid, dargestellt durch die chemische Formel (I) von ABO3 als Hauptkomponente, wobei die Komponente A der chemischen Formel (I) wenigstens K (Kalium) und/oder Na (Natrium) enthält, die Komponente B der chemischen Formel (I) wenigstens eines aus der Gruppe bestehend aus Nb (Niob), Ta (Tantal) und Zr (Zirkonium) enthält, mit Nb (Niob) als einer Notwendigkeit, wobei das piezoelektrische keramische Sputtertarget zusammengesetzt ist aus einer Vielzahl von Kristallkörnern und Korngrenzen, die zwischen den Kristallkörnern vorhanden sind, und in der Korngrenze das Molverhältnis von Nb (Niob) und/oder Ta (Tantal) und/oder Zr (Zirkonium) in den B-Komponenten um 30% oder mehr höher ist als das Molverhältnis im Inneren der Kristallkörner.
A piezoelectric ceramic sputtering target containing a perovskite type oxide represented by chemical formula (I) of ABO3 as a main component, wherein the component A of the chemical formula (I) contains at least K (potassium) and/or Na (sodium), the component B of the chemical formula (I) contains at least one selected from the group consisting of Nb (niobium), Ta (tantalum) and Zr (zirconium) with Nb (niobium) as a necessity, the piezoelectric ceramic sputtering target is composed of a plurality of crystal grains and grain boundaries existing among the crystal grains, and in the grain boundary, the molar ratio of at least one of Nb (niobium), Ta (tantalum), and Zr (zirconium) in the B components is higher than the molar ratio in the interior of the crystal grains by 30% or more.
PIEZOELEKTRISCHES KERAMIK-SPUTTERTARGET, BLEIFREIER PIEZOELEKTRISCHER DÜNNFILM UND PIEZOELEKTRISCHES DÜNNFILMELEMENT UNTER VERWENDUNG DESSELBEN
AZUMA TOMOHISA (author) / NANAO MASARU (author) / SANO TATSUJI (author) / FURUKAWA MASAHITO (author) / ISHII KENTA (author)
2017-10-05
Patent
Electronic Resource
German
| European Patent Office | 2017