A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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TRÄGERSUBSTRAT FÜR ELEKTRISCHE, INSBESONDERE ELEKTRONISCHE BAUTEILE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TRÄGERSUBSTRATS
Trägersubstrat (1), umfassendeine Isolationsschicht (11) und eine Metallschicht (12),wobei die Metallschicht (12) in einer parallel zur Haupterstreckungsebene (HSE) verlaufenden Primärrichtung (P) zumindest bereichsweise mit einem Flankenverlauf (2), insbesondere Ätzflankenverlauf, abschließt,wobei in Primärrichtung (P) gesehen sich der Flankenverlauf (2) von einer ersten Kante (15) an einer Oberseite (31) der Metallschicht (12), die der Isolationsschicht (11) abgewandt ist, bis zu einer zweiten Kante (16) an einer Unterseite (32) der Metallschicht (12), die der Isolationsschicht (11) zugewandt ist, erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass der Flankenverlauf (2) in Primärrichtung (P) gesehen ein lokales Maximum (21) und ein lokales Minimum (22) aufweist.
A carrier substrate (1) that includes an insulation layer (11) and a metal layer (12), wherein a flank profile (2), in particular an etching flank profile, at least zonally borders the metal layer (12) in a primary direction (P) extending parallel to the main extension plane (HSE), wherein, viewed in the primary direction (P), the flank profile (2) extends from a first edge (15) on an upper side (31) of the metal layer (12), which faces away from the insulation layer (11), to a second edge (16) on a lower side (32) of the metal layer (12), which faces the insulation layer (11), characterized in that the flank profile (2), viewed in the primary direction (P), has at least one local maximum (21) and at least one local minimum (22).
TRÄGERSUBSTRAT FÜR ELEKTRISCHE, INSBESONDERE ELEKTRONISCHE BAUTEILE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TRÄGERSUBSTRATS
Trägersubstrat (1), umfassendeine Isolationsschicht (11) und eine Metallschicht (12),wobei die Metallschicht (12) in einer parallel zur Haupterstreckungsebene (HSE) verlaufenden Primärrichtung (P) zumindest bereichsweise mit einem Flankenverlauf (2), insbesondere Ätzflankenverlauf, abschließt,wobei in Primärrichtung (P) gesehen sich der Flankenverlauf (2) von einer ersten Kante (15) an einer Oberseite (31) der Metallschicht (12), die der Isolationsschicht (11) abgewandt ist, bis zu einer zweiten Kante (16) an einer Unterseite (32) der Metallschicht (12), die der Isolationsschicht (11) zugewandt ist, erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass der Flankenverlauf (2) in Primärrichtung (P) gesehen ein lokales Maximum (21) und ein lokales Minimum (22) aufweist.
A carrier substrate (1) that includes an insulation layer (11) and a metal layer (12), wherein a flank profile (2), in particular an etching flank profile, at least zonally borders the metal layer (12) in a primary direction (P) extending parallel to the main extension plane (HSE), wherein, viewed in the primary direction (P), the flank profile (2) extends from a first edge (15) on an upper side (31) of the metal layer (12), which faces away from the insulation layer (11), to a second edge (16) on a lower side (32) of the metal layer (12), which faces the insulation layer (11), characterized in that the flank profile (2), viewed in the primary direction (P), has at least one local maximum (21) and at least one local minimum (22).
TRÄGERSUBSTRAT FÜR ELEKTRISCHE, INSBESONDERE ELEKTRONISCHE BAUTEILE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TRÄGERSUBSTRATS
CARRIER SUBSTRATE FOR ELECTRICAL, IN PARTICULAR ELECTRONIC COMPONENTS, AND METHOD FOR PRODUCING A CARRIER SUBSTRATE
SUBSTRAT PORTEUR POUR COMPOSANTS ÉLECTRIQUES, EN PARTICULIER ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT PORTEUR
BRITTING STEFAN (author) / MEYER ANDREAS (author) / TANG XINHE (author) / ADLER ANDREA (author)
2022-05-18
Patent
Electronic Resource
German
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2022
| European Patent Office | 2020
| European Patent Office | 2024
TRÄGERSUBSTRAT FÜR ELEKTRISCHE BAUTEILE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN TRÄGERSUBSTRATS
| European Patent Office | 2023