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TRÄGERSUBSTRAT FÜR ELEKTRISCHE, INSBESONDERE ELEKTRONISCHE BAUTEILE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TRÄGERSUBSTRATS
Trägersubstrat (1), umfassend eine Isolationsschicht (11) und eine Metallschicht (12), wobei die Metallschicht (12) in einer parallel zur Haupterstreckungsebene (HSE) verlaufenden Primärrichtung (P) zumindest bereichsweise mit einem Flankenverlauf (2), insbesondere Ätzflankenverlauf, abschließt, wobei in Primärrichtung (P) gesehen sich der Flankenverlauf (2) von einer ersten Kante (15) an einer Oberseite (31) der Metallschicht (12), die der Isolationsschicht (11) abgewandt ist, bis zu einer zweiten Kante (16) an einer Unterseite (32) der Metallschicht (12), die der Isolationsschicht (11) zugewandt ist, erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass der Flankenverlauf (2) in Primärrichtung (P) gesehen ein lokales Maximum (21) und ein lokales Minimum (22) aufweist.
The invention relates to a carrier substrate (1), comprising an insulation layer (11) and a metal layer (12), wherein, in a primary direction (P) running parallel to the main extension plane (HSE), the metal layer (12) terminates, at least in some regions, in a flank profile (2), more particularly an etched flank profile, wherein, seen in the primary direction (P), the flank profile (2) extends from a first edge (15) on a top side (31) of the metal layer (12) facing away from the insulation layer (11) to a second edge (16) on a bottom side (32) of the metal layer (12) facing the insulation layer (11), characterised in that, seen in the primary direction (P), the flank profile (2), has a local maximum (21) and a local minimum (22).
L'invention concerne un substrat de support (1) comprenant une couche isolante (11) et une couche métallique (12). La couche métallique (12) se termine, dans une direction primaire (P) parallèle au plan d'extension principal (HSE), au moins par endroits, avec un profil de flanc (2), en particulier un profil de flanc de gravure. Lorsque l'on regarde dans la direction primaire (P), le profil de flanc (2) s'étend d'un premier bord (15) sur un côté supérieur (31) de la couche métallique (12), qui est opposée à la couche d'isolation (11), jusqu'à un deuxième bord (16) sur un côté inférieur (32) de la couche métallique (12), qui est dirigée vers la couche d'isolation (11). L'invention est caractérisée en ce que, lorsque l'on regarde dans la direction primaire (P), le profil de flanc (2) comporte un maximum local (21) et un minimum local (22).
TRÄGERSUBSTRAT FÜR ELEKTRISCHE, INSBESONDERE ELEKTRONISCHE BAUTEILE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TRÄGERSUBSTRATS
Trägersubstrat (1), umfassend eine Isolationsschicht (11) und eine Metallschicht (12), wobei die Metallschicht (12) in einer parallel zur Haupterstreckungsebene (HSE) verlaufenden Primärrichtung (P) zumindest bereichsweise mit einem Flankenverlauf (2), insbesondere Ätzflankenverlauf, abschließt, wobei in Primärrichtung (P) gesehen sich der Flankenverlauf (2) von einer ersten Kante (15) an einer Oberseite (31) der Metallschicht (12), die der Isolationsschicht (11) abgewandt ist, bis zu einer zweiten Kante (16) an einer Unterseite (32) der Metallschicht (12), die der Isolationsschicht (11) zugewandt ist, erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass der Flankenverlauf (2) in Primärrichtung (P) gesehen ein lokales Maximum (21) und ein lokales Minimum (22) aufweist.
The invention relates to a carrier substrate (1), comprising an insulation layer (11) and a metal layer (12), wherein, in a primary direction (P) running parallel to the main extension plane (HSE), the metal layer (12) terminates, at least in some regions, in a flank profile (2), more particularly an etched flank profile, wherein, seen in the primary direction (P), the flank profile (2) extends from a first edge (15) on a top side (31) of the metal layer (12) facing away from the insulation layer (11) to a second edge (16) on a bottom side (32) of the metal layer (12) facing the insulation layer (11), characterised in that, seen in the primary direction (P), the flank profile (2), has a local maximum (21) and a local minimum (22).
L'invention concerne un substrat de support (1) comprenant une couche isolante (11) et une couche métallique (12). La couche métallique (12) se termine, dans une direction primaire (P) parallèle au plan d'extension principal (HSE), au moins par endroits, avec un profil de flanc (2), en particulier un profil de flanc de gravure. Lorsque l'on regarde dans la direction primaire (P), le profil de flanc (2) s'étend d'un premier bord (15) sur un côté supérieur (31) de la couche métallique (12), qui est opposée à la couche d'isolation (11), jusqu'à un deuxième bord (16) sur un côté inférieur (32) de la couche métallique (12), qui est dirigée vers la couche d'isolation (11). L'invention est caractérisée en ce que, lorsque l'on regarde dans la direction primaire (P), le profil de flanc (2) comporte un maximum local (21) et un minimum local (22).
TRÄGERSUBSTRAT FÜR ELEKTRISCHE, INSBESONDERE ELEKTRONISCHE BAUTEILE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES TRÄGERSUBSTRATS
CARRIER SUBSTRATE FOR ELECTRICAL, MORE PARTICULARLY ELECTRONIC, COMPONENTS, AND METHOD FOR PRODUCING A CARRIER SUBSTRATE
SUBSTRAT DE SUPPORT POUR COMPOSANTS ÉLECTRIQUES, EN PARTICULIER ÉLECTRONIQUES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SUPPORT
BRITTING STEFAN (author) / TANG XINHE (author) / MEYER ANDREAS (author) / ADLER ANDREA (author)
2020-04-02
Patent
Electronic Resource
German
European Patent Office | 2022
|European Patent Office | 2022
|European Patent Office | 2024
|European Patent Office | 2024
|TRÄGERSUBSTRAT FÜR ELEKTRISCHE BAUTEILE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN TRÄGERSUBSTRATS
European Patent Office | 2023
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