A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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OXIDE SINTERED BODY AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide sintered body capable of achieving a sufficiently low resistivity even in a production process in which the maximum temperature in a process for film production or element production is suppressed at a low temperature, and to provide an oxide transparent conductive film obtained therefrom.SOLUTION: In an oxide sintered body having indium, zirconium, yttrium, hafnium and oxygen as constituent elements, when indium, zirconium, yttrium and hafnium are expressed as In, Zr, Y and Hf respectively, Zr/(In+Zr+Y+Hf) is 0.1-3.0 at%, Y/(In+Zr+Y+Hf) is 0.005-0.5 at% and Hf/(In+Zr+Y+Hf) is 0.0002-0.15 at%, in terms of the atomic ratio respectively.
【課題】製膜や素子製造のプロセスの最高温度を低温に抑えた製造プロセスにおいても十分に低い抵抗率を実現することのできる酸化物焼結体、及びそれにより得られる酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。【解決手段】構成元素として、インジウム、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム及び酸素を有する酸化物焼結体であり、インジウム、ジルコニウム、イットリウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｚｒ、Ｙ、Ｈｆとしたときに、原子比でＺｒ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．１〜３．０ａｔ％であり、Ｙ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．００５〜０．５ａｔ％であり、Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．０００２〜０．１５ａｔ％であることを特徴とする酸化物焼結体。【選択図】 なし
OXIDE SINTERED BODY AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide sintered body capable of achieving a sufficiently low resistivity even in a production process in which the maximum temperature in a process for film production or element production is suppressed at a low temperature, and to provide an oxide transparent conductive film obtained therefrom.SOLUTION: In an oxide sintered body having indium, zirconium, yttrium, hafnium and oxygen as constituent elements, when indium, zirconium, yttrium and hafnium are expressed as In, Zr, Y and Hf respectively, Zr/(In+Zr+Y+Hf) is 0.1-3.0 at%, Y/(In+Zr+Y+Hf) is 0.005-0.5 at% and Hf/(In+Zr+Y+Hf) is 0.0002-0.15 at%, in terms of the atomic ratio respectively.
【課題】製膜や素子製造のプロセスの最高温度を低温に抑えた製造プロセスにおいても十分に低い抵抗率を実現することのできる酸化物焼結体、及びそれにより得られる酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。【解決手段】構成元素として、インジウム、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム及び酸素を有する酸化物焼結体であり、インジウム、ジルコニウム、イットリウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｚｒ、Ｙ、Ｈｆとしたときに、原子比でＺｒ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．１〜３．０ａｔ％であり、Ｙ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．００５〜０．５ａｔ％であり、Ｈｆ／（Ｉｎ＋Ｚｒ＋Ｙ＋Ｈｆ）が０．０００２〜０．１５ａｔ％であることを特徴とする酸化物焼結体。【選択図】 なし
OXIDE SINTERED BODY AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
KURAMOCHI TOSHIHITO (author) / TAMANO KIMIAKI (author) / AKIIKE RYO (author)
2015-10-29
Patent
Electronic Resource
Japanese
OXIDE SINTERED BODY AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| European Patent Office | 2017
Oxide sintered body and transparent conductive oxide film
| European Patent Office | 2022
Oxide sintered body and transparent conductive oxide film
| European Patent Office | 2020
OXIDE SINTERED BODY AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
| European Patent Office | 2019
OXIDE SINTERED BODY AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| European Patent Office | 2017