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THIN FILM CAPACITOR
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film capacitor where reduction of capacity due to aging is small, in a dielectric layer of a perovskite crystal structure of ABO(y≤0.995)having a columnar structure.SOLUTION: A thin film capacitor includes a base material, a dielectric layer provided on the base material, and an upper electrode layer provided on the dielectric layer. The dielectric layer contains a plurality of columnar crystals elongating in the normal direction to the electrode surface of the upper electrode layer. The columnar crystal has a perovskite crystal structure represented by ABO. The element A is at least one of Ba, Ca, Sr, Pb, and the element B is at least one of Ti, Zr, Sn, Hf. y≤0.995 is satisfied, and the dielectric layer contains 0.05-2.5 mol of Mg for ABO100 mol.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】柱状構造を有したＡｙＢＯ３（ｙ≦０．９９５）のペロブスカイト結晶構造の誘電体層において、エージングによる容量の減少が小さい薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】薄膜キャパシタは、基材と、該基材の上に設けられた誘電体層と、該誘電体層の上に設けられた上部電極層と、を備える。前記誘電体層は、前記上部電極層の電極表面の法線方向に沿って延びる複数の柱状結晶を含む。前記柱状結晶が、ＡｙＢＯ３であらわされるペロブスカイト結晶構造を有する。Ａ元素は、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｐｂの少なくとも一つであり、Ｂ元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｈｆの少なくとも一つである。ｙ≦０．９９５を満たし、前記誘電体層はＡｙＢＯ３１００ｍｏｌに対してＭｇを０．０５〜２．５ｍｏｌ含有する。【選択図】図１
THIN FILM CAPACITOR
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film capacitor where reduction of capacity due to aging is small, in a dielectric layer of a perovskite crystal structure of ABO(y≤0.995)having a columnar structure.SOLUTION: A thin film capacitor includes a base material, a dielectric layer provided on the base material, and an upper electrode layer provided on the dielectric layer. The dielectric layer contains a plurality of columnar crystals elongating in the normal direction to the electrode surface of the upper electrode layer. The columnar crystal has a perovskite crystal structure represented by ABO. The element A is at least one of Ba, Ca, Sr, Pb, and the element B is at least one of Ti, Zr, Sn, Hf. y≤0.995 is satisfied, and the dielectric layer contains 0.05-2.5 mol of Mg for ABO100 mol.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】柱状構造を有したＡｙＢＯ３（ｙ≦０．９９５）のペロブスカイト結晶構造の誘電体層において、エージングによる容量の減少が小さい薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】薄膜キャパシタは、基材と、該基材の上に設けられた誘電体層と、該誘電体層の上に設けられた上部電極層と、を備える。前記誘電体層は、前記上部電極層の電極表面の法線方向に沿って延びる複数の柱状結晶を含む。前記柱状結晶が、ＡｙＢＯ３であらわされるペロブスカイト結晶構造を有する。Ａ元素は、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｐｂの少なくとも一つであり、Ｂ元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｈｆの少なくとも一つである。ｙ≦０．９９５を満たし、前記誘電体層はＡｙＢＯ３１００ｍｏｌに対してＭｇを０．０５〜２．５ｍｏｌ含有する。【選択図】図１
THIN FILM CAPACITOR
薄膜キャパシタ
SAIDA HITOSHI (author) / INOUE HIROYASU (author) / YANO YOSHIHIKO (author)
2016-08-04
Patent
Electronic Resource
Japanese