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PIEZOELECTRIC CERAMIC SPUTTERING TARGET, NON-LEAD PIEZOELECTRIC THIN FILM AND PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT USING THE SAME
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric sputtering target capable of substantially suppressing leak generation in production of a non-lead piezoelectric thin film.SOLUTION: In the piezoelectric target 1 in which a perovskite type oxide expressed in a chemical formula (I) is a main component, the piezoelectric sputtering target 1 is composed of a plurality of crystal particles and a grain boundary existing between the plurality of crystal particles. In the grain boundary, the molar ratio of at least one kind of Nb, Tb or Zr is more than that in the particles in the crystal particles by 30% or more. ABO(I). (A is at least K and/or Na ;B is at least Nb, Ta or Zr, where Nb is necessary.)SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】非鉛圧電薄膜の製造において、リークの発生を十分に抑えることができる圧電磁器スパッタリングターゲットの提供。【解決手段】式（Ｉ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電磁器スパッタリングターゲット１であって、圧電磁器スパッタリングターゲット１は複数の結晶粒および前記結晶粒の間に存在する粒界で構成されており、前記粒界において、前記Ｂ成分のうちＮｂ、Ｔａ又はＺｒのうち少なくとも１種のモル比が、前記結晶粒の粒内におけるモル比に比べて３０％以上多い圧電磁器スパッタリングターゲット１。ＡＢＯ３・・・・・（Ｉ）（Ａは少なくともＫ及び／又はＮａ；Ｂは少なくともＮｂ、Ｔａ又Ｚｒ、但しＮｂは必須とする）【選択図】図１
PIEZOELECTRIC CERAMIC SPUTTERING TARGET, NON-LEAD PIEZOELECTRIC THIN FILM AND PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT USING THE SAME
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric sputtering target capable of substantially suppressing leak generation in production of a non-lead piezoelectric thin film.SOLUTION: In the piezoelectric target 1 in which a perovskite type oxide expressed in a chemical formula (I) is a main component, the piezoelectric sputtering target 1 is composed of a plurality of crystal particles and a grain boundary existing between the plurality of crystal particles. In the grain boundary, the molar ratio of at least one kind of Nb, Tb or Zr is more than that in the particles in the crystal particles by 30% or more. ABO(I). (A is at least K and/or Na ;B is at least Nb, Ta or Zr, where Nb is necessary.)SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】非鉛圧電薄膜の製造において、リークの発生を十分に抑えることができる圧電磁器スパッタリングターゲットの提供。【解決手段】式（Ｉ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電磁器スパッタリングターゲット１であって、圧電磁器スパッタリングターゲット１は複数の結晶粒および前記結晶粒の間に存在する粒界で構成されており、前記粒界において、前記Ｂ成分のうちＮｂ、Ｔａ又はＺｒのうち少なくとも１種のモル比が、前記結晶粒の粒内におけるモル比に比べて３０％以上多い圧電磁器スパッタリングターゲット１。ＡＢＯ３・・・・・（Ｉ）（Ａは少なくともＫ及び／又はＮａ；Ｂは少なくともＮｂ、Ｔａ又Ｚｒ、但しＮｂは必須とする）【選択図】図１
PIEZOELECTRIC CERAMIC SPUTTERING TARGET, NON-LEAD PIEZOELECTRIC THIN FILM AND PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT USING THE SAME
圧電磁器スパッタリングターゲット、非鉛圧電薄膜およびそれを用いた圧電薄膜素子
AZUMA TOMOHISA (author) / NANAO MASARU (author) / SANO TATSUJI (author) / FURUKAWA MASAHITO (author) / ISHII KENTA (author)
2017-10-05
Patent
Electronic Resource
Japanese
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