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PIEZOELECTRIC CERAMIC SPUTTERING TARGET, NON-LEAD PIEZOELECTRIC THIN FILM AND PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT USING THE SAME
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric sputtering target capable of substantially suppressing particle generation which becomes a defect factor, in production of a non-lead piezoelectric thin film.SOLUTION: In the piezoelectric ceramic target in which a perovskite type oxide expressed in a chemical formula (I) ABOis a main component, an A component of the chemical formula (I) includes at least K (kalium) and/or Na (natrium) and a B component of the chemical formula (I) includes at least Nb (niobium). The piezoelectric sputtering target is composed of a plurality of crystal particles, and an average diameter of the crystal particle is larger than 3 μm and 30 μm or less in the piezoelectric sputtering target.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】非鉛圧電薄膜の作製時において、欠陥の要因となるパーティクルの発生を十分に抑制することができる圧電磁器スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】化学式（Ｉ）：ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電磁器スパッタリングターゲットであって、前記化学式（Ｉ）のＡ成分は、少なくともＫ（カリウム）および／またはＮａ（ナトリウム）を含み、前記化学式（Ｉ）のＢ成分は、少なくともＮｂ（ニオブ）を含み、前記圧電磁器スパッタリングターゲットは複数の結晶粒で構成されており、前記結晶粒の平均粒径が３μｍより大きく、３０μｍ以下であることを特徴とする、圧電磁器スパッタリングターゲット。【選択図】図１
PIEZOELECTRIC CERAMIC SPUTTERING TARGET, NON-LEAD PIEZOELECTRIC THIN FILM AND PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT USING THE SAME
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric sputtering target capable of substantially suppressing particle generation which becomes a defect factor, in production of a non-lead piezoelectric thin film.SOLUTION: In the piezoelectric ceramic target in which a perovskite type oxide expressed in a chemical formula (I) ABOis a main component, an A component of the chemical formula (I) includes at least K (kalium) and/or Na (natrium) and a B component of the chemical formula (I) includes at least Nb (niobium). The piezoelectric sputtering target is composed of a plurality of crystal particles, and an average diameter of the crystal particle is larger than 3 μm and 30 μm or less in the piezoelectric sputtering target.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】非鉛圧電薄膜の作製時において、欠陥の要因となるパーティクルの発生を十分に抑制することができる圧電磁器スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】化学式（Ｉ）：ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電磁器スパッタリングターゲットであって、前記化学式（Ｉ）のＡ成分は、少なくともＫ（カリウム）および／またはＮａ（ナトリウム）を含み、前記化学式（Ｉ）のＢ成分は、少なくともＮｂ（ニオブ）を含み、前記圧電磁器スパッタリングターゲットは複数の結晶粒で構成されており、前記結晶粒の平均粒径が３μｍより大きく、３０μｍ以下であることを特徴とする、圧電磁器スパッタリングターゲット。【選択図】図１
PIEZOELECTRIC CERAMIC SPUTTERING TARGET, NON-LEAD PIEZOELECTRIC THIN FILM AND PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT USING THE SAME
圧電磁器スパッタリングターゲット、非鉛圧電薄膜およびそれを用いた圧電薄膜素子
AZUMA TOMOHISA (author) / NANAO MASARU (author) / ISHII KENTA (author)
2017-10-05
Patent
Electronic Resource
Japanese
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