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CERAMIC FILM, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET
To provide a ceramic film with high film hardness, and a sputtering target that can form the ceramic film by direct-current sputtering.SOLUTION: A ceramic film contains Ti: 8.5 mass% or more and 36 mass% or less, Y: 0.10 mass% or more and 8.0 mass% or less, and Si, Al, N(nitrogen), O(oxygen) and C(carbon), formed by sputtering, with the content of C being 0.15 mass% or more and 1.8 mass% or less. The sputtering target contains Ti: 8.5 mass% or more and 35 mass% or less, Y: 0.10 mass% or more and 6.0 mass% or less, and Si, Al, N, O and C, with the content of C being 0.20 mass% or more and 2.0 mass% or less.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】膜硬度の高いセラミックス膜、そのセラミックス膜を直流スパッタリングによって成膜することができるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】セラミックス膜は、Ｔｉ：８．５質量％以上３６質量％以下と、Ｙ：０．１０質量％以上８．０質量％以下と、ＳｉとＡｌとＮ（窒素）とＯ（酸素）とＣ（炭素）とを含む、スパッタリングにて形成された膜であって、Ｃを、０．１５質量％以上１．８質量％以下の範囲内にて含む。スパッタリングターゲットは、Ｔｉ：８．５質量％以上３５質量％以下と、Ｙ：０．１０質量％以上６．０質量％以下と、ＳｉとＡｌとＮとＯとＣとを含む、スパッタリングターゲットであって、Ｃを、０．２０質量％以上２．０質量％以下の範囲内にて含む。【選択図】図１
CERAMIC FILM, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET
To provide a ceramic film with high film hardness, and a sputtering target that can form the ceramic film by direct-current sputtering.SOLUTION: A ceramic film contains Ti: 8.5 mass% or more and 36 mass% or less, Y: 0.10 mass% or more and 8.0 mass% or less, and Si, Al, N(nitrogen), O(oxygen) and C(carbon), formed by sputtering, with the content of C being 0.15 mass% or more and 1.8 mass% or less. The sputtering target contains Ti: 8.5 mass% or more and 35 mass% or less, Y: 0.10 mass% or more and 6.0 mass% or less, and Si, Al, N, O and C, with the content of C being 0.20 mass% or more and 2.0 mass% or less.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】膜硬度の高いセラミックス膜、そのセラミックス膜を直流スパッタリングによって成膜することができるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】セラミックス膜は、Ｔｉ：８．５質量％以上３６質量％以下と、Ｙ：０．１０質量％以上８．０質量％以下と、ＳｉとＡｌとＮ（窒素）とＯ（酸素）とＣ（炭素）とを含む、スパッタリングにて形成された膜であって、Ｃを、０．１５質量％以上１．８質量％以下の範囲内にて含む。スパッタリングターゲットは、Ｔｉ：８．５質量％以上３５質量％以下と、Ｙ：０．１０質量％以上６．０質量％以下と、ＳｉとＡｌとＮとＯとＣとを含む、スパッタリングターゲットであって、Ｃを、０．２０質量％以上２．０質量％以下の範囲内にて含む。【選択図】図１
CERAMIC FILM, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET
セラミックス膜、スパッタリングターゲット、及びスパッタリングターゲットの製造方法
JOHO MASANORI (author) / NAGAO MASAYOSHI (author)
2019-02-07
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2020
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET AND OPTICAL FUNCTIONAL FILM
| European Patent Office | 2021
Sputtering target and method of producing sputtering target
| European Patent Office | 2024
SPUTTERING TARGET AND METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2022
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL FUNCTIONAL FILM
| European Patent Office | 2022